講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-13 15:40
[パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か? ○日高秀人(ルネサステクノロジ)・山岡雅直(日立)・宮野信冶(東芝)・秋山 悟(日立)・杉林直彦(NEC)・川嶋将一郎(富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆(パナソニック) ICD2009-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-4 |
抄録 |
(和) |
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力の問題などから、一部DRAMなどへの置き換えの機運がある。 また、ゼロ待機電力化の観点から、フラッシュメモリなど不揮発性メモリも多くのシステムで使われ始めた。 また、これら低電圧・低待機電力の双方の要求を満たす可能性があるFeRAMやMRAMなどの新規メモリを含め、将来のメモリ低消費電力化の可能性低電圧システム向けに今後有望なメモリ技術に関して専門家パネリストによる討議を行って定見を得、特に、以下について一定の結論を導く。
(1) システムからのメモリへの低電圧・低消費電力化要求の確認
(SOC、PC、SSD等より、動作時か待機時か? メモリコアかインタフェース
か?等)
(2) 各メモリ技術の低電圧・低電力化の可能性と課題
SRAM、DRAM、フラッシュ、新規メモリについて
(3) 低電圧・低電力化観点でのメモリ置換の可能性と課題
・混載SRAMの低電圧動作限界と他メモリによる置換可能性
・メモリ間欠動作の有効性と、不揮発性メモリによる低電圧・低消費化の
可能性、不揮発性RAMの可能性など |
(英) |
A panel discussion session will high-light low-voltage memory trends, limitations, and future prospects by discussing on;
(1) What is the true low-voltage/low-power requirements for memories
in various systems and SoC?
(2) Voltage scalability and power reduction capability in various
memory technologies.
(3) Possible revolutionary memory replacement and/or memory evolution
schemes intended for low-voltage/low-power SoC. |
キーワード |
(和) |
低電圧メモリ / 低消費電力メモリ / SRAM / DRAM / フラッシュメモリ / 新規メモリ / 不揮発性RAM / |
(英) |
low-voltage memory / low-power memory / SRAM / DRAM / flash memory / emerging memory / NV-RAM / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-4, pp. 19-19, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-4 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2009-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-4 |