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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-14 10:15
[依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
藤村勇樹平林 修川澄 篤鈴木 東武山泰久櫛田桂一佐々木貴彦片山 明深野 剛中里高明志津木 康串山夏樹矢部友章東芝ICD2009-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-5
抄録 (和) デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,ワード線電位を2電源間の9段階に分割した任意のレベルに設定可能なワード線ドライバ,および読み出し/書込みでのセル電源動的制御回路を提案した.これにより,従来よりも小さなセルトランジスタを使用しても安定動作が可能となるため,同一デザインルールでより高密度なセルを実現できる.40nm CMOSプロセスにおいて,スケーリングトレンドに比べ10%小さい0.179$\mu$m2セルを使用した512Kb SRAMを試作し,3桁以上のセル不良率改善を確認した. 
(英) We present a dual-power-supply SRAM with 0.179$\mu$m2 cell in 40nm CMOS, which is 10% smaller than the SRAM scaling trend. To improve the cell stability, the level-programmable wordline driver and dynamic array supply control are introduced. The cell failure rate is improved more than three orders of magnitude.
キーワード (和) 高密度SRAM / 2電源 / ワード線ドライバ / / / / /  
(英) High-Density SRAM / Dual-Power-Supply / Wordline Driver / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-5, pp. 21-26, 2009年4月.
資料番号 ICD2009-5 
発行日 2009-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2009-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-5

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2009-04-13 - 2009-04-14 
開催地(和) 大観荘(宮城県松島町) 
開催地(英) Daikanso (Matsushima, Miyagi) 
テーマ(和) メモリ技術 
テーマ(英) Semiconductor Memory Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2009-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Process-Variation-Tolerant Dual-Power-Supply SRAM with 0.179μm2 Cell in 40nm CMOS Using Level-Programmable Wordline Driver 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高密度SRAM / High-Density SRAM  
キーワード(2)(和/英) 2電源 / Dual-Power-Supply  
キーワード(3)(和/英) ワード線ドライバ / Wordline Driver  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤村 勇樹 / Yuki Fujimura / フジムラ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平林 修 / Osamu Hirabayashi / ヒラバヤシ オサム
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 東 / Azuma Suzuki / スズキ アズマ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 泰久 / Yasuhisa Takeyama / タケヤマ ヤスヒサ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 櫛田 桂一 / Keiichi Kushida / クシダ ケイイチ
第6著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 貴彦 / Takahiko Sasaki / ササキ タカヒコ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 明 / Akira Katayama / カタヤマ アキラ
第8著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 深野 剛 / Gou Fukano / フカノ ゴウ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中里 高明 / Takaaki Nakazato / ナカザト タカアキ
第10著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 志津木 康 / Yasushi Shizuki / シヅキ ヤスシ
第11著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 串山 夏樹 / Natsuki Kushiyama / クシヤマ ナツキ
第12著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢部 友章 / Tomoaki Yabe / ヤベ トモアキ
第13著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-04-14 10:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2009-5 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数
発行日 2009-04-06 (ICD) 


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