講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-23 14:10
ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性 ○中山健一・楠 貴博・夫 勇進・城戸淳二(山形大) ED2009-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-3 |
抄録 |
(和) |
n型の有機電界効果型トランジスタの性能が大気下で急速に悪化する主な原因は、酸素や水によって形成される絶縁層界面の電子トラップであると考えられている。我々は、絶縁層とチャネル層間にアモルファス性のホール輸送性材料を挿入した「ヘテロ積層型FET構造」を用いることにより、フラーレンFETにおいて安定な大気下動作を実現した。 |
(英) |
N-type organic field effect transistors are generally unstable under atmospheric condition. This deterioration is attributed to the interfacial electron trap at the insulator surface. In this study, we achieved air-stable n-type FET by hetero-layered structure composed of hole transporting material and fullerene. |
キーワード |
(和) |
n型有機FET / 大気下安定性 / ヘテロ積層構造 / フラーレン / / / / |
(英) |
n-type organic field-effect transistor / air stability / hetero-layered structure / fullerene / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-3, pp. 13-14, 2009年4月. |
資料番号 |
ED2009-3 |
発行日 |
2009-04-16 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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