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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-24 15:10
塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討
堀井美徳産総研/鳥取大)・井川光弘坂口幸一近松真之吉田郵司阿澄玲子産総研)・茂木 弘科学技術推進機構/信越化学)・北川雅彦小西久俊鳥取大)・八瀬清志産総研SDM2009-3 OME2009-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-3 OME2009-3
抄録 (和) ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタ(TFT)のSiO_2ゲート絶縁膜表面の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行った。電界効果移動度と絶縁膜表面の表面自由エネルギーの相関性を示した。絶縁膜表面の表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン(DCTS)処理したデバイスで移動度1.5×10^(-2)cm^2/Vs、on/off比 10^5以上が得られた。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 有機薄膜トランジスタ / ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / 自己組織化単分子膜 / ドコシルトリクロロシラン / / / /  
(英) Organic thin-film transistor / poly(3-hexylthiophene) / self-assembled monolayer / docosyltrichlorosilane / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 20, OME2009-3, pp. 9-14, 2009年4月.
資料番号 OME2009-3 
発行日 2009-04-17 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2009-04-24 - 2009-04-24 
開催地(和) 産総研九州センター大会議室 
開催地(英) AIST Kyushu-center 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, Applications, Analysis and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of SAM treatment on gate insulator in solution processed organic thin-film transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機薄膜トランジスタ / Organic thin-film transistor  
キーワード(2)(和/英) ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / poly(3-hexylthiophene)  
キーワード(3)(和/英) 自己組織化単分子膜 / self-assembled monolayer  
キーワード(4)(和/英) ドコシルトリクロロシラン / docosyltrichlorosilane  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀井 美徳 / Yoshinori Horii / ホリイ ヨシノリ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門/鳥取大学大学院工学研究科 (略称: 産総研/鳥取大)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology/Graduate School of Engineering, Tottori university (略称: PRI, AIST/Graduate School of Eng., Tottori Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井川 光弘 / Mitsuhiro Ikawa / イカワ ミツヒロ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂口 幸一 / Koichi Sakaguchi / サカグチ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 近松 真之 / Masayuki Chikamatsu / チカマツ マサユキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 郵司 / Yuji Yoshida / ヨシダ ユウジ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿澄 玲子 / Reiko Azumi / アズミ レイコ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 茂木 弘 / Hiroshi Mogi / モギ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 科学技術推進機構/信越化学工業株式会社 (略称: 科学技術推進機構/信越化学)
Japan Chemical Innovation Institute/Shin-Etsu Chemical (略称: Japan Chemical Innovation Inst./Shin-Etsu Chemical)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 北川 雅彦 / Masahiko Kitagawa / キタガワ マサヒコ
第8著者 所属(和/英) 鳥取大学大学院工学研究科 (略称: 鳥取大)
Graduate School of Engineering, Tottori university (略称: Graduate School of Eng., Tottori Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 小西 久俊 / Hisatoshi Konishi / コニシ ヒサトシ
第9著者 所属(和/英) 鳥取大学大学院工学研究科 (略称: 鳥取大)
Graduate School of Engineering, Tottori university (略称: Graduate School of Eng., Tottori Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 八瀬 清志 / Kiyoshi Yase / ヤセ キヨシ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 光技術研究部門 (略称: 産総研)
Photonics Research Institute, Advanced industrial science and Technology (略称: PRI, AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-04-24 15:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 SDM2009-3, OME2009-3 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.19(SDM), no.20(OME) 
ページ範囲 pp.9-14 
ページ数
発行日 2009-04-17 (SDM, OME) 


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