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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-15 09:25 Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大）  ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，光-電子集積回路（OEIC）やMEMSへの応用を考えて分子線エピタキシー（MBE）法とVapor-Liquid-Solid（VLS）法と融合させたMBE-VLS法を用いることでSi基板上への化合物半導体ナノワイヤの成長を試みている．特に(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤの成長では，触媒を用いずにGaAsナノワイヤを成長することに成功した．これは，Ga液滴がSi基板上に形成され，その液滴が触媒の役割を果たしてナノワイヤが成長するものである．また，この成長機構を応用することで，GaAs/AlGaAsコア・シェルナノワイヤ構造を作製することも可能である．一方，ナノワイヤをデバイスに応用することを考えて，(110)Si基板にトレンチ壁を設け，架橋ナノワイヤ構造を作製したり，表面空乏化の影響を軽減するために，(111)Si基板上へのInAsナノワイヤの成長も行っている． |
| （英） | Compound semiconductor nanowires (NWs) attract attention for the application to opro-electronic integrated circuit (OEIC) or Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) in the next generation. Therefore, we attempted to fabricate compound semiconductor NWs on Si substrate by combination method of molecular beam epitaxy (MBE) and Vapor-Liquid-Solid (VLS). Especially, we succeeded in fabricating the catalyst-free GaAs NWs on (111)Si substrate. This growth mechanism is explained by the fact that the GaAs NWs are grown by VLS mode through Ga droplets, which are formed at the first growth step. Adopting these facts, we attempted to make GaAs/AlGaAs core-shell structure on Si substrate. In anticipation of device application, we have also fabricated the GaAs NW bridge in a trench of a patterned (110)Si substrate and InAs NWs on (111)Si substrate because of planar device and decrease of depletion layer, respectively. |
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| キーワード | （和） | MBE-VLS / ナノワイヤ / 無触媒 / 化合物半導体 / Si基板 / / / |
| （英） | MBE-VLS / Nanowire / Catalyst-free / Compound semiconductor / Si substrate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 23, ED2009-27, pp. 49-52, 2009年5月. | |
| 資料番号 | ED2009-27 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE-VLS growth of compound semiconductors nanowires on Si substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE-VLS / MBE-VLS |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | 無触媒 / Catalyst-free |
| キーワード(4)（和/英） | 化合物半導体 / Compound semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白 知鉉 / Ji-Hyun Paek / ペク ジヒュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市橋 弘英 / Hirohide Ichihashi / イチハシ ヒロヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀内 功 / Isao Horiuchi / ホリウチ イサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki / サワキ ノブヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-15 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-27, CPM2009-17, SDM2009-17 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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