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講演抄録/キーワード
講演名 2009-05-22 15:45
P(VDF-TrFE)LB膜を絶縁層とするFETにみられるヒステリシスの解析
陳 翔宇欧陽 威Martin Weis間中孝彰岩本光正東工大OME2009-19 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2009-19
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 48, OME2009-19, pp. 55-59, 2009年5月.
資料番号 OME2009-19 
発行日 2009-05-15 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2009-05-22 - 2009-05-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術 
テーマ(英) Organic Materials, Thin Films, Interfaces and Devices/Interface Control and Process Technology for Film-Based Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-05-OME 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) P(VDF-TrFE)LB膜を絶縁層とするFETにみられるヒステリシスの解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Hysteresis Behavior Analysis of Organic Field Effect Transistor with P(VDF-TrFE) LB films gate-insulator 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 陳 翔宇 / Xiangyu Chen / Xiangyu Chen
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 欧陽 威 / Wei OuYang / Wei OuYang
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Martin Weis / Martin Weis / Martin Weis
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-05-22 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2009-19 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.48 
ページ範囲 pp.55-59 
ページ数
発行日 2009-05-15 (OME) 


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