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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-22 13:05 GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価 ○揖場 聡・黄 晋二・河口仁司（奈良先端大）  LQE2009-9 |
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| 抄録 | （和） | (110)基板上のIII–V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバイスの有望な系として大きな注目を集めている。我々は(110)基板上スピンデバイスへの応用を目指して、分子線エピタキシー法による(110) GaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長条件の最適化に取り組み、約1.8 nsに達する非常に長い電子スピン緩和時間を観測した。また、量子井戸界面において成長中断を導入することで、より平滑なヘテロ界面を形成することに成功し、更に長い電子スピン緩和時間を得ることができた。 |
| （英） | III-V semiconductor quantum wells on (110)-oriented substrates have attracted significant attention as potential systems for spintronic devices since dramatically long electron spin relaxation time τ_s in (110) GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (MQWs) was demonstrated. In order to realize spintronic devices on (110)-oriented substrates, we first carried out optimization of molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions on GaAs (110) substrates. In (110)-oriented GaAs/AlGaAs MQWs fabricated using the optimized growth condition, we obtained ten times longer τ_s (~1.8 ns) than that in (100) MQWs. By introducing growth interruption at hetero-interfaces during MBE growth, we successfully fabricated the MQWs with smoother interfaces, resulting in even longer τ_s in the MQWs (~2.1 ns). | |
| キーワード | （和） | (110)量子井戸 / スピン緩和 / 成長中断 / / / / / |
| （英） | (110)-oriented Quantum Well / Spin Relaxation / Growth Interruption / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 49, LQE2009-9, pp. 43-48, 2009年5月. | |
| 資料番号 | LQE2009-9 | |
| 発行日 | 2009-05-15 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2009-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2009-05-22 - 2009-05-22 |
| 開催地（和） | 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 |
| 開催地（英） | Kanazawa Univ. |
| テーマ（和） | 量子光学、非線形光学、超高速現象、レーザ基礎、及び一般 |
| テーマ（英） | Quantum Optics, Nonlinear Optics, Ultra-high-speed Phenomenon, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-05-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth of GaAs/AlGaAs Quantum Wells on GaAs (110) and Evaluation of Electron Spin Relaxation Times |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | (110)量子井戸 / (110)-oriented Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | スピン緩和 / Spin Relaxation |
| キーワード(3)（和/英） | 成長中断 / Growth Interruption |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 揖場 聡 / Satoshi Iba / |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黄 晋二 / Shinji Koh / |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 仁司 / Hitoshi Kawaguchi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-22 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2009-9 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.49 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-05-15 (LQE) |
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