講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-05-22 14:55
五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価 ○新保一成・皆川正寛・東川哲之・北村翔平・馬場 暁・加藤景三・金子双男(新潟大) OME2009-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2009-17 |
抄録 |
(和) |
近年、五酸化バナジウム(V2O5)が有機電界発光素子において電荷発生層として機能することが報告されている。我々は、このような電荷発生層を有機トランジスタに適用することを試みている。本研究では、V2O5層と有機層(銅フタロシアニン:CuPc)の界面における相互作用を強めることを目的に、V2O5とCuPcの界面に混合層を設けた素子を作製した。混合層を厚さ20nmまで種々変えて作製したところ、混合層の膜厚と共に移動度が大きくなる様子が観察された。混合層の厚さが大きくなるにつれて、V2O5からの正孔注入が増大するためと推定された。 |
(英) |
Recently, it has been reported that vanadium pentoxide (V2O5) could be used as a charge generation layer in organic light-emitting diodes. We have been studying organic field-effect transistors (OFETs) with charge generation layer. In this study, OFETs with mixed layer of V2O5 and copper phthalocyanine (CuPc) were fabricated. Intense interaction between V2O5 and CuPc was expected at the mixed layer. The mobility of the device increased with the thickness of the mixed layer, and it was estimated to be due to the enhancement of hole injection from V2O5. |
キーワード |
(和) |
有機トランジスタ / 五酸化バナジウム / 電荷発生層 / 電荷移動錯体 / / / / |
(英) |
Organic Thin Film Transistor / Vanadium Pentoxide / Charge Generation Layer / Charge-Transfer Complex / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 48, OME2009-17, pp. 45-48, 2009年5月. |
資料番号 |
OME2009-17 |
発行日 |
2009-05-15 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OME2009-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2009-17 |