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講演抄録/キーワード
講演名 2009-05-22 14:55
五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価
新保一成皆川正寛東川哲之北村翔平馬場 暁加藤景三金子双男新潟大OME2009-17
抄録 (和) 近年、五酸化バナジウム(V2O5)が有機電界発光素子において電荷発生層として機能することが報告されている。我々は、このような電荷発生層を有機トランジスタに適用することを試みている。本研究では、V2O5層と有機層(銅フタロシアニン:CuPc)の界面における相互作用を強めることを目的に、V2O5とCuPcの界面に混合層を設けた素子を作製した。混合層を厚さ20nmまで種々変えて作製したところ、混合層の膜厚と共に移動度が大きくなる様子が観察された。混合層の厚さが大きくなるにつれて、V2O5からの正孔注入が増大するためと推定された。 
(英) Recently, it has been reported that vanadium pentoxide (V2O5) could be used as a charge generation layer in organic light-emitting diodes. We have been studying organic field-effect transistors (OFETs) with charge generation layer. In this study, OFETs with mixed layer of V2O5 and copper phthalocyanine (CuPc) were fabricated. Intense interaction between V2O5 and CuPc was expected at the mixed layer. The mobility of the device increased with the thickness of the mixed layer, and it was estimated to be due to the enhancement of hole injection from V2O5.
キーワード (和) 有機トランジスタ / 五酸化バナジウム / 電荷発生層 / 電荷移動錯体 / / / /  
(英) Organic Thin Film Transistor / Vanadium Pentoxide / Charge Generation Layer / Charge-Transfer Complex / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 48, OME2009-17, pp. 45-48, 2009年5月.
資料番号 OME2009-17 
発行日 2009-05-15 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2009-17

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2009-05-22 - 2009-05-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術 
テーマ(英) Organic Materials, Thin Films, Interfaces and Devices/Interface Control and Process Technology for Film-Based Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-05-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and Characteristics of Vanadium Pentoxide/Copper Phthalocyanine Thin Film Transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic Thin Film Transistor  
キーワード(2)(和/英) 五酸化バナジウム / Vanadium Pentoxide  
キーワード(3)(和/英) 電荷発生層 / Charge Generation Layer  
キーワード(4)(和/英) 電荷移動錯体 / Charge-Transfer Complex  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新保 一成 / Kazunari Shinbo / シンボ カズナリ
第1著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 皆川 正寛 / Masahiro Minagawa / ミナガワ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 東川 哲之 / Tstsuyuki Higashikawa / ヒガシカワ テツユキ
第3著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北村 翔平 / Shohei Kitamura / キタムラ ショウヘイ
第4著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬場 暁 / Akira Baba / ババ アキラ
第5著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 景三 / Keizo Kato / カトウ ケイゾウ
第6著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 双男 / Futao Kaneko / カネコ フタオ
第7著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-05-22 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2009-17 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.48 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数
発行日 2009-05-15 (OME) 


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