講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-11 14:15
c面配向擬似六方晶Co100-xGex薄膜の一軸結晶磁気異方性 ○日向慎太朗・斉藤 伸・柳沢龍一・高橋 研(東北大) MR2009-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-2 |
抄録 |
(和) |
Coスパッタ薄膜の結晶磁気異方性エネルギー (Ku) のGe添加効果について評価した.In-plane X線回折法を用いて合金膜中に形成される積層欠陥を定量評価し,磁気特性と構造との相関を詳細に検討したところ,以下のことが明らかとなった.? c面配向Ru下地層上に作製したCoGe薄膜では,Ge添加濃度21 at.%以下の組成範囲において,c面配向した擬似六方晶相が形成される.? c面配向CoGe薄膜では,Ge添加にともない飽和磁化は単調に減少する一方,KuはGe 10at.% 添加において6.3×106 erg/cm3の極大を示す.? -A-B-C-積層の出現確率をPfccとすると,Co薄膜ではPfccは10%であったのに対し,Ge 10at.% 添加薄膜では1%に減少した.? したがって,スパッタCo薄膜へのGe添加は,磁性結晶粒中の積層欠陥を減少させて六方晶固有の原子層積層構造に近づける効果がある.このことが,CoGe薄膜においてGeの添加によりKuが極大を示す原因であると考えられる. |
(英) |
Effects of Ge addition into Co sputtered film on uniaxial magnetocrystalline anisotropy energy (Ku) were investigated. Through the quantitative evaluation of degree of stacking faults using laboratory-scale in-plane XRD, it was found that; ? c-plane-oriented pseudo-hcp structure was formed in CoGe alloy films sputtered on Ru underlayer in the Ge composition less than 21 at.%. ? Saturation magnetization was monotonously decreased with increasing Ge content, while Ku took the maximum value of 6.3×106 erg/cm3 at Ge content of 10 at%. ? -A-B-C-stacking probability, Pfcc, showed 10% for pure Co film, while, 1% for Co90Ge10 film. ? Ge addition was found to eliminate stacking faults in Co-based magnetic grains, which was one reason of the enhancement of Ku for CoGe alloy films. |
キーワード |
(和) |
層状不整擬似六方晶 / c面配向Co基合金薄膜 / 積層欠陥 / 一軸結晶磁気異方性 / / / / |
(英) |
pseudo-hcp structure / c-plane oriented Co-alloy film / stacking faults / Uniaxial magnetocrystalline anisotropy / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, 2009年6月. |
資料番号 |
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発行日 |
2009-06-04 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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