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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-11 16:50 AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 ○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝）  ED2009-43 |
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| 抄録 | （和） | GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精密なエッチングが難しいため、リセス構造形成のためには低ダメージなドライエッチング技術が求められる。本研究では、BCl3とCl2の混合ガスを用いたICP-RIEにより、エッチングの低ダメージ化を検討した。その結果、BCl3とCl2の混合ガスにより低バイアスパワーで表面モフォロジーが維持できることが分かった。また、表面モフォロジーが維持できる範囲内では、Cl2 /BCl3比を高くすることでAlGaNを効率よくエッチングができ、BとClの半導体層への侵入量を抑制できることが分かった。 |
| （英） | Recessed gate structure is promising to improve GaN electric devices. Low damage dry etching technique is required to form recessed gate structure because precise wet etching is difficult in nitride semiconductors. In this report, low damage etching technique is studied using ICP-RIE with BCl3 and Cl2 mixed gases. Etching with BCl3 and Cl2 mixed gases keeps good surface morphology under low bias power condition. Under high Cl2/BCl3 condition, AlGaN layer can be etched efficiently and the penetration of B and Cl can be suppressed. | |
| キーワード | （和） | GaN / Etching / ICP-RIE / / / / / |
| （英） | GaN / Etching / ICP-RIE / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 81, ED2009-43, pp. 37-40, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-43 | |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-06-11 - 2009-06-12 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on low damage dry etching for AlGaN/GaN-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Etching / Etching |
| キーワード(3)（和/英） | ICP-RIE / ICP-RIE |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi / クラグチ マサヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 湯元 美樹 / Miki Yumoto / ユモト ミキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ヨシハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-11 16:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-43 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.81 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) |
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