講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-19 15:55
電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価 ○宮沢 亮・田口 大・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正(東工大) EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 |
抄録 |
(和) |
P3HT を半導体層とするMIS 構造素子のCMS、C-V 特性を測定した。C-V 特性から、電極から注入されたホールの蓄積、空乏状態を評価し、CMS 特性から注入したホールがポーラロン準位に入ることを示した。また、CMS 測定とインピーダンス測定結果から、下部電極から注入されたホールがP3HT/PI 絶縁体界面とP3HT 内部に蓄積されることを明らかにした。さらに、光照射や電圧印加による閾値シフトを観測し、光照射によって発生した電子や注入されたホールがP3HT/PI 絶縁体界面に蓄積されることを確かめた。以上の結果から、P3HT 内部のポーラロン準位に加えて、P3HT/PI 絶縁体界面に界面トラップ準位が存在していることを示した。 |
(英) |
We measured CMS spectra and C-V characteristics of P3HT MIS diodes. The CMS spectra and C-V characteristics showedthat injected holes from base-Au electrode were accumulated at the semiconductor/insulator interface in P3HT layer. Photo-illumination andd.c biasing caused threshold voltage shift, suggesting the accumulation of excited electrons form P3HT as well as of injected holes formelectrodes. Experimental results and analysis show the presence of interfacial states at the P3HT and PI interface as well as polaron states inthe P3HT. |
キーワード |
(和) |
CMS / P3HT / Polyimide / ポーラロン / 閾値 / / / |
(英) |
CMS / P3HT / Polyimide / polaron / threshold voltage / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 91, OME2009-25, pp. 23-26, 2009年6月. |
資料番号 |
OME2009-25 |
発行日 |
2009-06-12 (EMD, CPM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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