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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 15:55
電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価
宮沢 亮田口 大Martin Weis間中孝彰岩本光正東工大EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25
抄録 (和) P3HT を半導体層とするMIS 構造素子のCMS、C-V 特性を測定した。C-V 特性から、電極から注入されたホールの蓄積、空乏状態を評価し、CMS 特性から注入したホールがポーラロン準位に入ることを示した。また、CMS 測定とインピーダンス測定結果から、下部電極から注入されたホールがP3HT/PI 絶縁体界面とP3HT 内部に蓄積されることを明らかにした。さらに、光照射や電圧印加による閾値シフトを観測し、光照射によって発生した電子や注入されたホールがP3HT/PI 絶縁体界面に蓄積されることを確かめた。以上の結果から、P3HT 内部のポーラロン準位に加えて、P3HT/PI 絶縁体界面に界面トラップ準位が存在していることを示した。 
(英) We measured CMS spectra and C-V characteristics of P3HT MIS diodes. The CMS spectra and C-V characteristics showedthat injected holes from base-Au electrode were accumulated at the semiconductor/insulator interface in P3HT layer. Photo-illumination andd.c biasing caused threshold voltage shift, suggesting the accumulation of excited electrons form P3HT as well as of injected holes formelectrodes. Experimental results and analysis show the presence of interfacial states at the P3HT and PI interface as well as polaron states inthe P3HT.
キーワード (和) CMS / P3HT / Polyimide / ポーラロン / 閾値 / / /  
(英) CMS / P3HT / Polyimide / polaron / threshold voltage / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 91, OME2009-25, pp. 23-26, 2009年6月.
資料番号 OME2009-25 
発行日 2009-06-12 (EMD, CPM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25

研究会情報
研究会 CPM EMD OME  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 材料デバイスサマーミーティング 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-06-CPM-EMD-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of injected carrier energetics in organic-field-effect-transistor by charge modulation spectroscopy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMS / CMS  
キーワード(2)(和/英) P3HT / P3HT  
キーワード(3)(和/英) Polyimide / Polyimide  
キーワード(4)(和/英) ポーラロン / polaron  
キーワード(5)(和/英) 閾値 / threshold voltage  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮沢 亮 / Ryo Miyazawa / ミヤザワ リョウ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田口 大 / Dai Taguchi / タグチ ダイ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Martin Weis / Martin Weis /
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-19 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 EMD2009-18, CPM2009-30, OME2009-25 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.89(EMD), no.90(CPM), no.91(OME) 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数
発行日 2009-06-12 (EMD, CPM, OME) 


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