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| 講演名 | 2009-06-19 14:30 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）  SDM2009-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-36 |
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| 抄録 | （和） | 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法により評価した。熱酸化(400~550℃)により形成したGeO2/Geは、酸化温度によりサブオキサイドの総量が異なり、サブオキサイド成分が界面だけでなく膜中に存在することが分かった。550℃熱酸化GeO2(8.6nm)/Geにおいて、超高真空中410℃以上の熱処理により、GeO2表面およびGeO2/Ge界面からの熱脱離が生じることが明らかになった。UV-O3およびリモート酸素プラズマ酸化により形成したGeO2/Geとも比較した結果、H2O2で形成したケミカルGeO2/Geが、最も平坦な界面が形成できていることが分かった。 |
| （英） | The chemical bonding features of ultrathin Ge oxide layers, which were prepared on Ge(100) by wet-chemical treatment, low-temperature processes or thermal oxidation, were characterized by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The total amount of suboxide conponents depend on the oxidation temperature at the temperature range of 400~550°C. For the case of thermal oxide(8.6nm) formed at 550°C, GeO thermal desorption from GeO2 surface and/or GeO2/Ge interface was observed by the annealing in vacuum ambient at temperature higher than 410°C. The interface flatness at the interface of GeO2/Ge formed by H2O2 is most smooth in comparison with the case with the remote O2 plasma and UV-O3 treatment. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム酸化膜 / サブオキサイド / / / / / / |
| （英） | germanium oxide / suboxide / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-36, pp. 57-60, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-36 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoemission Study of Suboxides on GeO2/Ge Structure Formed by Thermal and Low Temperature Processes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム酸化膜 / germanium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | サブオキサイド / suboxide |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima university (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小埜 芳和 / Yoshikazu Ono / オノ ヨシカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima university (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima university (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima university (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima university (略称： Hiroshima Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-36 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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