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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 16:00 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST）  SDM2009-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-40 |
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| 抄録 | （和） | 我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている。本研究はメモリの性能向上や大容量化を目的として, ゲート酸化膜に高誘電体材料（High-k）膜を利用したドット型フローティングゲート型MOSキャパシタおよびMOSFETの電気特性に関する評価を行った。その結果, ゲート酸化膜にHigh-k膜を利用したことによりメモリ特性が向上した。 |
| （英） | The memory properties of nano-dot-type floating gate memories with Co bio-nanodots (Co-BNDs) embedded in HfO2 layer were investigated. High-density Co-BNDs were adsorbed on the HfO2 layer by using APTES. The memory window of the MOSFET with Co-BNDs embedded in the HfO2 layer was larger than that of the MOSFET with Co-BNDs embedded in SiO2 layer. We proposed the fabrication of a high-performance floating-gate type MOSFET with HfO2 by bio-nano process. | |
| キーワード | （和） | フローティングゲートメモリ / フェリチン / バイオナノプロセス / High-k / MOSデバイス / / / |
| （英） | Floating gate memory / Ferritin / High-k / Bio-nano process / MOS devices / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-40, pp. 77-80, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-40 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Floating Gate Memory with Biomineralized Nanodots Embedded in High-k Gate Dielectric |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フローティングゲートメモリ / Floating gate memory |
| キーワード(2)（和/英） | フェリチン / Ferritin |
| キーワード(3)（和/英） | バイオナノプロセス / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | High-k / Bio-nano process |
| キーワード(5)（和/英） | MOSデバイス / MOS devices |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 孝介 / Kosuke Ohara / オハラ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重樫 利武 / Toshitake Yaegashi / ヤエガシ トシタケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茂庭 昌弘 / Masahiro Moniwa / モニワ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉丸 正樹 / Masaki Yoshimaru / ヨシマル マサキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学/戦略的創造研究推進事業 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology/Core Research for Evolutional Science and Technology (略称： NAIST/CREST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-40 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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