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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 09:05 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討 ○井芹有志・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）・羽路伸夫（横浜国大）  OPE2009-16 LQE2009-19 |
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| 抄録 | （和） | InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well)の作製トレランスに関して，量子井戸のヘテロ界面の急峻性劣化がFACQWの電界誘起屈折率変化特性に与える影響について理論的な検討を行った．ヘテロ界面の急峻性劣化について解析する手法として，ヘテロ界面における組成分布の形状を指数関数と仮定し，その組成勾配の遷移幅を増加させていったときの特性の変化について解析を行った．遷移幅が増大するとともにFACQWの屈折率変化特性が劣化していくことが見出されたが，遷移幅が2ML程度までであればFACQWの特性は十分な特性を保つことができることも見出された．さらに，FACQWの特性の劣化が顕著になる遷移幅3 MLを仮定した場合において，FACQW構造を再設計することにより，その特性改善できることがわかった． |
| （英） | For evaluating fabrication tolerance of an InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW), influence of abruptness of heterointerfaces in the FACQW on its electrorefractive effect was theoretically studied . In the analysis, it is assumed that composition profile in a heterointerface is exponential, and a thickness of a transition layer L is defined. We investigated the change in electrorefractive index of the FACQW with various L. With the increase of L, electrorefractive index change remarkably decreases especially in the case of $L \ge 3$ ML. In addition, we propose an improved FACQW structure which is expected to exhibit large electrorefractive index even in the case of L=3 ML. | |
| キーワード | （和） | 量子井戸 / 五層非対称結合量子井戸 / InGaAs / ヘテロ界面 / 電界誘起屈折率変化 / / / |
| （英） | Quantum Well / Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well / InGaAs / Heterointerface Abruptness / Electrorefractive effect / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 93, LQE2009-19, pp. 1-6, 2009年6月. | |
| 資料番号 | LQE2009-19 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2009-16 LQE2009-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館6階66号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study on Fabrication Tolerance of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | 五層非対称結合量子井戸 / Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ界面 / Heterointerface Abruptness |
| キーワード(5)（和/英） | 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive effect |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井芹 有志 / Yuji Iseri / イセリ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 太郎 / Taro Arakawa / アラカワ タロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多田 邦雄 / Kunio Tada / タダク ニオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽路 伸夫 / Nobuo Haneji / ハネジ ノブオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 09:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2009-16, LQE2009-19 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.92(OPE), no.93(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (OPE, LQE) |
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