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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 16:55 ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 ○五月女真一・中山隆史（千葉大）  SDM2009-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-43 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
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| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-43, pp. 93-97, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-43 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical investigation about electronic structure of doping metal silicide |
| サブタイトル（英） | |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五月女 真一 / Shinichi Sotome / |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 隆史 / Takashi Nakayama / |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 16:55:00 |
| 発表時間 | 5分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-43 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.93-97 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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