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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-24 15:00 Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2009-52 SDM2009-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-52 SDM2009-47 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180${\rm nm^2}$, which is connected to the MOSFET in series by 3 levels via and 3 levels metal line, can dynamically operate with the programming current driven by 0.14{\rm\mu}m CMOSFET. In our measurement of transient characteristic of fabricated MTJ, the pulse current, which is generated by the MOSFET with an applied pulse voltage of 1.5V to its gate, injected to the fabricated MTJ connected to the MOSFET in series. By using the current measurement technique flowing in MTJ with 10nsec sampling rate, for the first time, we succeeded in monitor that the transition speed of the resistance change of 60x180${\rm nm^2}$ MTJ is less than 30ns with its programming current of 500{\rm\mu}A and the resistance change of 1.7k${\rm \Omega}$. |
| （英） | In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180${\rm nm^2}$, which is connected to the MOSFET in series by 3 levels via and 3 levels metal line, can dynamically operate with the programming current driven by 0.14{\rm\mu}m CMOSFET. In our measurement of transient characteristic of fabricated MTJ, the pulse current, which is generated by the MOSFET with an applied pulse voltage of 1.5V to its gate, injected to the fabricated MTJ connected to the MOSFET in series. By using the current measurement technique flowing in MTJ with 10nsec sampling rate, for the first time, we succeeded in monitor that the transition speed of the resistance change of 60x180${\rm nm^2}$ MTJ is less than 30ns with its programming current of 500{\rm\mu}A and the resistance change of 1.7k${\rm \Omega}$. |
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| キーワード | （和） | スピン注入磁化反転RAM(STT-RAM) / 磁気抵抗メモリ (MRAM) / トンネル磁気抵抗効果 (TMR) / スピン注入 / 磁気トンネル接合 (MTJ) / CMOS / MOSFET / 過渡特性 |
| （英） | spin-transfer torque random access memory (STT-RAM)) / magnetoresistive random access memory (MRAM) / tunnel magnetoresistance (TMR) / spin-injection / magnetic tunnel junction (MTJ) / CMOS / MOSFET / transient characteristic | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-47, pp. 9-12, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-47 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-52 SDM2009-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-52 SDM2009-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入磁化反転RAM(STT-RAM) / spin-transfer torque random access memory (STT-RAM)) |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気抵抗メモリ (MRAM) / magnetoresistive random access memory (MRAM) |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果 (TMR) / tunnel magnetoresistance (TMR) |
| キーワード(4)（和/英） | スピン注入 / spin-injection |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気トンネル接合 (MTJ) / magnetic tunnel junction (MTJ) |
| キーワード(6)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(7)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(8)（和/英） | 過渡特性 / transient characteristic |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上柳 雅史 / Masashi Kamiyanagi / カミヤナギ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊賀 文崇 / Fumitaka Iga / イガ フミタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学/日立製作所 (略称： 東北大/日立) Tohoku University/Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. Hitachi (略称： Tohoku Univ./Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. Hitachi (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa / ハセガワ ハルヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽生 貴弘 / Takahiro Hanyu / ハニュウ タカヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 15:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-52, SDM2009-47 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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