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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-24 14:00
[招待講演]SiC上グラフェンの物性評価
永瀬雅夫日比野浩樹影島博之山口浩司NTTED2009-61 SDM2009-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-61 SDM2009-56
抄録 (和) 近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従来のウエハスケール・デバイスと互換性があるため、将来有望な材料系である。本稿では、SiC上グラフェン用の顕微鏡的な計測手法について議論する。低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)を用いた層数計測技術により、数層グラフェンの層数制御と形態制御が可能となった。走査プローブ顕微鏡上の集積化ナノギャッププローブによる局所導電率計測により、グラフェンナノ構造、及び、二層グラフェンシートの顕微鏡的な電子物性が明らかとなった。 
(英) Graphene has recently attracted a lot of research interest because of its superior electric properties. Thermally grown epitaxial graphene on SiC substrate is promising for future electronic devices because of its compatibility with existing wafer-scale manufacturing. In this paper, microscopic metrological methods for graphene on SiC will be discussed. A layer number determination method using low-energy electron microscopy (LEEM) enables us to control the layer number and morphology of few-layer graphene. Local conductance measurements using an integrated nanogap probe based on scanning probe microscopy reveal the electrical properties of graphene nanoislands and double-layer graphene sheets on SiC.
キーワード (和) グラフェン / 炭化ケイ素 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 走査プローブ顕微鏡 / ナノギャップ電極 / 局所導電率 / /  
(英) Graphene / SiC / LEEM / SPM / nano-gap electrode / local conductance / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-56, pp. 47-52, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-56 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) SiC上グラフェンの物性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Metrology of microscopic properties of graphene on SiC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphene  
キーワード(2)(和/英) 炭化ケイ素 / SiC  
キーワード(3)(和/英) 低エネルギー電子顕微鏡 / LEEM  
キーワード(4)(和/英) 走査プローブ顕微鏡 / SPM  
キーワード(5)(和/英) ナノギャップ電極 / nano-gap electrode  
キーワード(6)(和/英) 局所導電率 / local conductance  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永瀬 雅夫 / Masao Nagase / ナガセ マサオ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称: NTT)
NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT BRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 日比野 浩樹 / Hiroki Hibino / ヒビノ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称: NTT)
NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT BRL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称: NTT)
NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT BRL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 浩司 / Hiroshi Yamaguchi / ヤマグチ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称: NTT)
NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT BRL)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-24 14:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2009-61, SDM2009-56 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


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