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| 講演名 | 2009-06-24 16:15 Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric ○Young-uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.）  ED2009-63 SDM2009-58 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-63 SDM2009-58 |
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| 抄録 | （和） | In order to realize low voltage operation of pentacene-based field-effect-transistors (FETs), we have fabricated pantacene-based metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes and FETs with thin SiO2 gate dielectric, such as 3-10 nm. Excellent capacitance-voltage (C-V) characteristics of pentacene-based MOS diodes were observed with small hysteresis width even though the gate dielectric thickness was very thin, such as 3 nm. It also showed high mobility as 0.3 cm2/Vs and low operation voltage in the pentacene FETs. |
| （英） | In order to realize low voltage operation of pentacene-based field-effect-transistors (FETs), we have fabricated pantacene-based metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes and FETs with thin SiO2 gate dielectric, such as 3-10 nm. Excellent capacitance-voltage (C-V) characteristics of pentacene-based MOS diodes were observed with small hysteresis width even though the gate dielectric thickness was very thin, such as 3 nm. It also showed high mobility as 0.3 cm2/Vs and low operation voltage in the pentacene FETs. | |
| キーワード | （和） | pentacene / OFETs / pentacene mobility / low operation voltage / / / / |
| （英） | pentacene / OFETs / pentacene mobility / low operation voltage / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-63, pp. 59-62, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-63 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-63 SDM2009-58 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-63 SDM2009-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | pentacene / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | OFETs / OFETs |
| キーワード(3)（和/英） | pentacene mobility / pentacene mobility |
| キーワード(4)（和/英） | low operation voltage / low operation voltage |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Young-uk Song / Young-uk Song / |
| 第1著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Shun-ichiro Ohmi / Shun-ichiro Ohmi / |
| 第2著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hiroshi Ishiwara / Hiroshi Ishiwara / |
| 第3著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 16:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-63, SDM2009-58 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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