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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-24 14:30 ［招待講演］Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits ○Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Jun Hayakawa（Hitachi, Ltd.）・Huadong Gan・Kotaro Mizumuma・Ji Ho Park（Tohoku Univ.）・Hiroyuki Yamamoto・Katsuya Miura（Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.）・Haruhiro Hasegawa・Ryutaro Sasaki・Toshiyasu Meguro（Tohoku Univ.）・Kenchi Ito（Hitachi, Ltd.）・Fumihiro Matsukura・Hideo Ohno（Tohoku Univ.）  ED2009-51 SDM2009-46 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Magnetoresistive random access memory (MRAM) using magnetic tunnel junctions (MTJs) is one of the candidates of universal memory, which is nonvolatile and has virtually unlimited write endurance. In addition, logic-in-memory using the MTJ technology has been proposed and basic circuit block has been fabricated, which is expected to realize a system with ultra-low-power and reduced interconnection delay. High tunnel magnetoresistance (TMR) ratio of CoFeB/MgO/CoFeB MTJs has made it possible to pursue these applications. I summarize our activities regarding the highest TMR ratio known to date and current induced magnetization switching of the MgO-barrier MTJs. This work was supported by Research and Development for Next-Generation Information Technology of MEXT. |
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| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | tunnel magnetoresistance / current-induced magnetization switching / MgO / CoFeB / synthetic ferrimagnetic free layer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-46, pp. 5-8, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-46 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-51 SDM2009-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | / tunnel magnetoresistance |
| キーワード(2)（和/英） | / current-induced magnetization switching |
| キーワード(3)（和/英） | / MgO |
| キーワード(4)（和/英） | / CoFeB |
| キーワード(5)（和/英） | / synthetic ferrimagnetic free layer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甘 華東 / Huadong Gan / ガン ファードン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水沼 広太朗 / Kotaro Mizumuma / ミズヌマ コウタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 志晧 / Ji Ho Park / パク ジホ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 浩之 / Hiroyuki Yamamoto / ヤマモト ヒロユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所/東北大学電気通信研究所 (略称： 日立/東北大) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd./Tohoku University (略称： Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所/東北大学電気通信研究所 (略称： 日立/東北大) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd./Tohoku University (略称： Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa / ハセガワ ハルヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 龍太郎 / Ryutaro Sasaki / ササキ リュウタロウ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 敏靖 / Toshiyasu Meguro / メグロ トシヤス |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
| 第11著者 所属（和/英） | 日立製作所基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松倉 文礼 / Fumihiro Matsukura / マツクラ フミヒロ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第13著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-51, SDM2009-46 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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