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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 09:30 ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.）  ED2009-72 SDM2009-67 |
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| 抄録 | （和） | Recently, III-V thin films have been identified as potential candidates for future nMOS channels. High current drivability in these thin films can be achieved if the doping concentration in the source is made to exceed 1 × 1019 cm–3. However, in the case of III-V materials, it is difficult to achieve high doping concentrations using ion implantation techniques. This report includes the results of our attempt to realize an epitaxially grown source, with which high doping concentrations can be achieved. One approach involves the fabrication of an InP/InGaAs composite channel MISFET with InGaAs source and drain by selective regrowth using MOVPE. The other approach involves the use of vertical FETs with a heterolauncher for the ballistic transport of electrons. |
| （英） | Recently, III-V thin films have been identified as potential candidates for future nMOS channels. High current drivability in these thin films can be achieved if the doping concentration in the source is made to exceed 1 × 1019 cm–3. However, in the case of III-V materials, it is difficult to achieve high doping concentrations using ion implantation techniques. This report includes the results of our attempt to realize an epitaxially grown source, with which high doping concentrations can be achieved. One approach involves the fabrication of an InP/InGaAs composite channel MISFET with InGaAs source and drain by selective regrowth using MOVPE. The other approach involves the use of vertical FETs with a heterolauncher for the ballistic transport of electrons. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | InP/InGaAs / MISFET / regrown source / heterolauncher / dual gate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-72, pp. 99-103, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-72 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-72 SDM2009-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InP/InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | / MISFET |
| キーワード(3)（和/英） | / regrown source |
| キーワード(4)（和/英） | / heterolauncher |
| キーワード(5)（和/英） | / dual gate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 尚史 / Hisashi Saito / サイトウ ヒサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-72, SDM2009-67 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.99-103 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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