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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 09:30 ［招待講演］ラジカル反応プロセスを用いたシリコン（551）表面上Accumulation-Mode MOSトランジスタ ○寺本章伸・程 イトウ・戴 慶佛・須川成利・大見忠弘（東北大）  ED2009-84 SDM2009-79 |
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| 抄録 | （和） | Though the electron mobility in the channel of MOSFET on Si(100) surface which is currently used for LSI devices is largest of all, the hole mobility is smallest. We have reported that the high quality gate insulator films can be formed on any oriented silicon surfaces by using radical oxidation and radical nitridation. Then, We can use Si(551) surface for fabricating the LSI devices. Si(551) is a surface orientation where 8°off from the Si(110) in [001] direction and is hard to be roughened by alkali solutions. The hole mobility in Si(551) surface is large as Si(100). We demonstrate the high performance CMOS by fabricating accumulation mode MOSFETs on Si(551) surface. |
| （英） | Though the electron mobility in the channel of MOSFET on Si(100) surface which is currently used for LSI devices is largest of all, the hole mobility is smallest. We have reported that the high quality gate insulator films can be formed on any oriented silicon surfaces by using radical oxidation and radical nitridation. Then, We can use Si(551) surface for fabricating the LSI devices. Si(551) is a surface orientation where 8°off from the Si(110) in [001] direction and is hard to be roughened by alkali solutions. The hole mobility in Si(551) surface is large as Si(100). We demonstrate the high performance CMOS by fabricating accumulation mode MOSFETs on Si(551) surface. | |
| キーワード | （和） | シリコン / 面方位 / MOSFET / 移動度 / SOI / 蓄積型 / / |
| （英） | Silicon / surface orientation / MOSFET / mobility / SOI / accumulation mode / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-79, pp. 149-152, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-79 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-84 SDM2009-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | ラジカル反応プロセスを用いたシリコン（551）表面上Accumulation-Mode MOSトランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOS Transistors fabricated on Si(551) surface based on radical reaction processes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 面方位 / surface orientation |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | 蓄積型 / accumulation mode |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 程 イトウ / Weitao Cheng / Weitao Cheng |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戴 慶佛 / Chingfoa Tye / Tye Ching Foa |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-84, SDM2009-79 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.149-152 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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