| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 12:45 Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST）  ED2009-89 SDM2009-84 |
|
| 抄録 | （和） | We have studied transmission property of electron in vertical MOSFET (V-MOSFET) from the viewpoint of quantum electro-dynamics. To obtain the intuitive picture of electron transmission property through channel of the V-MOSFET, we solve the time-dependent Shrödinger equation in real space by employing the split operator method. We injected an electron wave packet into the body of the V-MOSFET from the source, and traced the time-development of electron-wave function in the body and drain region. We successfully showed that the electron wave function propagates through the resonant states of the body potential. Our suggested approaches open the quantative and intuitive discussion for the carrier dynamics in the V-MOSFET on quantum limit. |
| （英） | We have studied transmission property of electron in vertical MOSFET (V-MOSFET) from the viewpoint of quantum electro-dynamics. To obtain the intuitive picture of electron transmission property through channel of the V-MOSFET, we solve the time-dependent Shrödinger equation in real space by employing the split operator method. We injected an electron wave packet into the body of the V-MOSFET from the source, and traced the time-development of electron-wave function in the body and drain region. We successfully showed that the electron wave function propagates through the resonant states of the body potential. Our suggested approaches open the quantative and intuitive discussion for the carrier dynamics in the V-MOSFET on quantum limit. | |
| キーワード | （和） | 縦型構造MOSFET / 量子電子ダイナミクス / 共鳴トンネリング / 電子輸送 / / / / |
| （英） | Vertical MOSFET / Quantum Electro-Dynamics / Resonant Tunneling / Electron Transport / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-84, pp. 169-172, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-84 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-89 SDM2009-84 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 縦型構造MOSFET / Vertical MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子電子ダイナミクス / Quantum Electro-Dynamics |
| キーワード(3)（和/英） | 共鳴トンネリング / Resonant Tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | 電子輸送 / Electron Transport |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村口 正和 / Masakazu Muraguchi / ムラグチ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST-CREST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST-CREST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 12:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-89, SDM2009-84 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.169-172 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]