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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 09:00 ［招待講演］表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/GaNへテロ構造FET ○廣木正伸・前田就彦・小林 隆・重川直輝（NTT）  ED2009-71 SDM2009-66 |
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| 抄録 | （和） | We report our recent development of an InAlN barrier layer for GaN-based FETs. We fabricated a novel structure consisting of InAlN/AlGaN/GaN. With this structure, we achieved higher electron mobility and a flatter surface than those for the conventional InAlN/GaN heterostructures. We investigated the AlN interlayer thickness dependence of mobility and surface flatness. The thickness strongly affected the mobility and the surface roughness of InAlN/GaN. In contrast, the variation of these values is suppressed for the new structure. We achieved low sheet resistance even for the new structure without an AlN interlayer. These results point to the possibility of developing GaN-based FETs with high performance and high reliability. |
| （英） | We report our recent development of an InAlN barrier layer for GaN-based FETs. We fabricated a novel structure consisting of InAlN/AlGaN/GaN. With this structure, we achieved higher electron mobility and a flatter surface than those for the conventional InAlN/GaN heterostructures. We investigated the AlN interlayer thickness dependence of mobility and surface flatness. The thickness strongly affected the mobility and the surface roughness of InAlN/GaN. In contrast, the variation of these values is suppressed for the new structure. We achieved low sheet resistance even for the new structure without an AlN interlayer. These results point to the possibility of developing GaN-based FETs with high performance and high reliability. | |
| キーワード | （和） | InAlN / AlInN / HEMT / FET / GaN / / / |
| （英） | InAlN / AlInN / HEMT / FET / GaN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-71, pp. 93-98, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-71 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-71 SDM2009-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/GaNへテロ構造FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InAlGaN/AlGaN/GaN Heterosturcures Field Effect Transistors with Flat Surface and High Electron Mobility |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(2)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT PH Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 就彦 / Narihiko Maeda / マエダ ナリヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT PH Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT PH Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第4著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT PH Labs.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 09:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-71, SDM2009-66 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.93-98 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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