お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-26 11:45
Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot
Masakazu MuraguchiTohoku Univ.)・Yukihiro TakadaShintaro NomuraUniv. of Tsukuba.)・Tetsuo EndohTohoku Univ.)・Kenji ShiraishiUniv. of Tsukuba.ED2009-93 SDM2009-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-93 SDM2009-88
抄録 (和) We have revealed that the electronic states in the electrodes give a significant influence to the electron transport in nano-electronic devices. We have theoretically investigated the time-evolution of electron transport from a two-dimensional electron gas (2DEG) to a quantum dot (QD), where 2DEG represents the electrode in the nano-electronic devices. We clearly showed that the coherent electron transport is remarkably modified depending on the initial electronic state in the 2DEG. The electron transport from the 2DEG to the QD is strongly enhanced, when the initial state of the electron in the 2DEG is localized below the QD. We have proposed that controlling the electronic state in the electrodes could realize a new concept device function without modifying the electrode structures; that achieves a new controllable state in future nano-electronic devices. 
(英) We have revealed that the electronic states in the electrodes give a significant influence to the electron transport in nano-electronic devices. We have theoretically investigated the time-evolution of electron transport from a two-dimensional electron gas (2DEG) to a quantum dot (QD), where 2DEG represents the electrode in the nano-electronic devices. We clearly showed that the coherent electron transport is remarkably modified depending on the initial electronic state in the 2DEG. The electron transport from the 2DEG to the QD is strongly enhanced, when the initial state of the electron in the 2DEG is localized below the QD. We have proposed that controlling the electronic state in the electrodes could realize a new concept device function without modifying the electrode structures; that achieves a new controllable state in future nano-electronic devices.
キーワード (和) 直接トンネル / 二次元電子ガス / 電子ダイナミクス / ナノドット / ナノコンタクト / 電極 / /  
(英) Direct Tunneling / Two-Dimensional Electron Gas / Electron Dynamics / Nano-Dot / Nano-Contact / Electrode / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-88, pp. 185-188, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-88 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-93 SDM2009-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-93 SDM2009-88

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 直接トンネル / Direct Tunneling  
キーワード(2)(和/英) 二次元電子ガス / Two-Dimensional Electron Gas  
キーワード(3)(和/英) 電子ダイナミクス / Electron Dynamics  
キーワード(4)(和/英) ナノドット / Nano-Dot  
キーワード(5)(和/英) ナノコンタクト / Nano-Contact  
キーワード(6)(和/英) 電極 / Electrode  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 村口 正和 / Masakazu Muraguchi / ムラグチ マサカズ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 幸宏 / Yukihiro Takada / タカダ ユキヒロ
第2著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba. (略称: Univ. of Tsukuba.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野村 晋太郎 / Shintaro Nomura / ノムラ シンタロウ
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba. (略称: Univ. of Tsukuba.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第5著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba. (略称: Univ. of Tsukuba.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-26 11:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2009-93, SDM2009-88 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.185-188 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会