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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-16 14:25 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ ○矢島亮児・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）  SDM2009-104 ICD2009-20 |
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| 抄録 | （和） | データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する[1]。従来のNANDフラッシュメモリに代わりFe-NANDを導入することによって一万回から一億回の書き換え回数、書き替え消去電圧が20Vから6Vになり低電圧動作が実現する。本論文ではランダム書き込み速度の向上を目的として、バッチライトアルゴリズムを導入した。その結果SSDへのランダム書き込み速度を2倍にすることが可能である。しかしバッチライトアルゴリズムを導入すると電源遮断によるデータ破損の危険性が発生し、信頼性の低下を招く。これを防ぐために強誘電体NMOSトランジスタで構成された不揮発性ページバッファを導入することにより問題を解決した。以上よりFe-NANDフラッシュメモリはデータセンター用SSDに最も適していると考えられる． |
| （英） | A ferroelectric (Fe)-NAND flash memory with a non-volatile (NV) page buffer is proposed. The data fragmentation in a random write is removed by introducing a batch write algorithm. As a result, the SSD performance can double. The NV-page buffer realizes a power outage immune highly reliable operation. With a low program/erase voltage, 6V and a high endurance, 100million cycles, the proposed Fe-NAND is most suitable for a highly reliable high-speed low power data center application enterprise SSD. | |
| キーワード | （和） | SSD / NAND / FLASH / / / / / |
| （英） | SSD / NAND / FLASH / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 134, ICD2009-20, pp. 39-44, 2009年7月. | |
| 資料番号 | ICD2009-20 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-104 ICD2009-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory with Non-volatile Page Buffer for Data Center Application Enterprise Solid-State Drives (SSD) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(2)（和/英） | NAND / NAND |
| キーワード(3)（和/英） | FLASH / FLASH |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 亮児 / Ryoji Yajima / ヤジマ リョウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 光恵 / Mitsue Takahashi / タカハシ ミツエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-16 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2009-104, ICD2009-20 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
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