| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-16 15:25 Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス）  SDM2009-106 ICD2009-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-106 ICD2009-22 |
|
| 抄録 | （和） | 我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実証した。また、2次元キャリア分布計測技術等により、平行エクステンション注入を行うとゲートLERに起因したエクステンション端揺らぎが平滑化することがわかった。実効チャネル長揺らぎが減少するお陰でpMOSFET並みのVthばらつきを持つゲート長20nmのnMOSFETを動作することが可能になった。 |
| （英） | We have demonstrated for the first time that parallel extension implantation tilted along the gate width direction enables to reduce the threshold voltage (Vth) fluctuation in nMOSFETs at high Vd by 15%. We have clarified by direct carrier profiling that the parallel implantation makes lateral extension edge smooth (less roughness induced by gate LER). Thanks to reduced fluctuation in effective channel length, we have made it possible to operate 20-nm nMOSFETs with the Vth variability as much as pMOSFETs have. | |
| キーワード | （和） | ばらつき / イオン注入 / ゲート・ライン・エッジ・ラフネス / 微細化 / / / / |
| （英） | fluctuation / implantation / gate line edge roughness / scaling / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-106, pp. 49-52, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SDM2009-106 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-106 ICD2009-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-106 ICD2009-22 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comprehensive Design Methodology of Dopant Profile to Suppress Gate-LER-induced Threshold Voltage Variability in sub-30 nm NMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / fluctuation |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / implantation |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート・ライン・エッジ・ラフネス / gate line edge roughness |
| キーワード(4)（和/英） | 微細化 / scaling |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福留 秀暢 / Hidenobu Fukutome / フクトメ ヒデノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Microelectronics Limited (略称： Fujitsu Microelectronics Limited) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 陽子 / Yoko Hori / ホリ ヨウコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通クオリティ・ラボ (略称： 富士通クオリティ・ラボ) Fujitsu Quality Laboratory Limited (略称： Fujitsu Quality Lab. Limited) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 保坂 公彦 / Kimihiko Hosaka / ホサカ キミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Microelectronics Limited (略称： Fujitsu Microelectronics Limited) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 籾山 陽一 / Yoichi Momiyama / モミヤマ ヨウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Microelectronics Limited (略称： Fujitsu Microelectronics Limited) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 成生 / Shigeo Satoh / サトウ シゲオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Microelectronics Limited (略称： Fujitsu Microelectronics Limited) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通マイクロエレクトロニクス (略称： 富士通マイクロエレクトロニクス) Fujitsu Microelectronics Limited (略称： Fujitsu Microelectronics Limited) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-16 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-106, ICD2009-22 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]