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講演抄録/キーワード
講演名 2009-07-16 16:35
結晶性FeCoB裏打ち軟磁性層によるグラニュラー垂直磁気記録媒体の特性改善
五味俊輔平田健一郎松鵜利光東工大)・松沼 悟井上鉄太郎渡辺利幸土井嗣裕日立マクセル)・中川茂樹東工大MR2009-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-20
抄録 (和) 垂直磁気記録媒体の記録層と裏打ち軟磁性層の間に挿入される中間層Ruの薄膜化を達成するために結晶性裏打ち軟磁性層を適用することを検討した。結晶性裏打ち軟磁性層としてFeCoB層を用いて、bcc-FeCoBの(110)配向度を向上させることにより、中間層Ruのc軸配向度およびCoPtCr-SiO2記録層のc-軸配向度の向上が可能となる。そこで、FeCoB層の(110)配向度を制御するために、Ru層およびSi/NiFe膜の2つのシード層を用いたFeCoB裏打ち軟磁性層を作製し比較した。Ru膜をシード層としたRu/FeCoB膜は高異方性磁界を持ち、Si/NiFe膜をシード層としたSi/NiFe/FeCoB膜はbcc-FeCoB(110)優先配向を促進するものである。Si/NiFe膜をシード層として用いると、Ruシード層の場合よりもFeCo(110)配向を促進することが確認された。また、FeCoB層の(110)配向度を向上させたRu/FeCoB膜やSi/NiFe/FeCoB膜を結晶性裏打ち軟磁性層として利用することにより、中間層Ruの膜厚を30 nmから1 nmまで低減させた場合に、記録層のCoPtCr (002)ピークの積分強度が維持されることが確認された。また、中間層Ruの膜厚を5 nmまで薄くしても記録層の保磁力と角型比が維持されることが確認された。 
(英) Application of crystalline soft magnetic underlayer(SUL) for reduction of the Ru intermediate layer(IML) between recording layer and SUL in perpendicular magnetic recording media has been performed. The use of FeCoB layer as crystalline SUL improves degree of FeCo(110) orientation, and that gives degree of (001) orientation of Ru IML and CoPtCr in CoPtCr-SiO2 recording layer. Then, FeCoB crystalline SULs with seed layer of Ru or Si/NiFe are fabricated and compared to control degree of (110) orientation of FeCo in FeCoB layer. Ru/FeCoB SUL has high anisotropy field. Si/NiFe seed layer improves (110) preferential orientation of FeCo. Si/NiFe seed layer more improved (110) orientation of FeCo than that of Ru. It was confirmed that the use of Ru/FeCoB layer or Si/NiFe/FeCoB layer causes improvement of (001) orientation of Ru IML, which causes improvement of (001) orientation of CoPtCr. The intensity of (002) diffraction peak of CoPtCr is almost constant even though the thickness of Ru IML changes from 30 nm to 1 nm. Coercivity and squareness ratio of recording layer maintained the same value in spite of reducing the thickness of the Ru IML from 30 nm to 5 nm.
キーワード (和) 垂直磁気記録媒体 / 結晶性裏打ち軟磁性層 / 中間層Ru / bcc-FeCo(110)配向 / hcp-Ru(001)配向 / / /  
(英) Perpendicular magnetic recording media / Crystalline soft magnetic underlayer / Ru intermediate layer / (110) orientation of bcc-FeCo / (001) orientation of hcp-Ru / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, 2009年7月.
資料番号  
発行日 2009-07-09 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2009-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-20

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2009-07-16 - 2009-07-16 
開催地(和) 東京工業大学 
開催地(英) Tokyo Inst. of Tech. 
テーマ(和) ヘッド・媒体および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2009-07-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 結晶性FeCoB裏打ち軟磁性層によるグラニュラー垂直磁気記録媒体の特性改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of granular perpendicular magnetic recording media with Si/NiFe/FeCoB crystalline SUL 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 垂直磁気記録媒体 / Perpendicular magnetic recording media  
キーワード(2)(和/英) 結晶性裏打ち軟磁性層 / Crystalline soft magnetic underlayer  
キーワード(3)(和/英) 中間層Ru / Ru intermediate layer  
キーワード(4)(和/英) bcc-FeCo(110)配向 / (110) orientation of bcc-FeCo  
キーワード(5)(和/英) hcp-Ru(001)配向 / (001) orientation of hcp-Ru  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 五味 俊輔 / Shunsuke Gomi / ゴミ シュンスケ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TITech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平田 健一郎 / Kenichiro Hirata / ヒラタ ケンイチロウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TITech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松鵜 利光 / Toshimitsu Matsuu / マツウ トシミツ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TITech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松沼 悟 / Satoshi Matsunuma / マツヌマ サトシ
第4著者 所属(和/英) 日立マクセル (略称: 日立マクセル)
Hitachi Maxell (略称: Hitachi Maxell)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 鉄太郎 / Tetsutaro Inoue / イノウエ テツタロウ
第5著者 所属(和/英) 日立マクセル (略称: 日立マクセル)
Hitachi Maxell (略称: Hitachi Maxell)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 利幸 / Toshiyuki Watanabe / ワタナベ トシユキ
第6著者 所属(和/英) 日立マクセル (略称: 日立マクセル)
Hitachi Maxell (略称: Hitachi Maxell)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 土井 嗣裕 / Tsugihiro Doi / ドイ ツグヒロ
第7著者 所属(和/英) 日立マクセル (略称: 日立マクセル)
Hitachi Maxell (略称: Hitachi Maxell)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TITech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-07-16 16:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2009-20 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.132 
ページ範囲 pp.41-45 
ページ数
発行日 2009-07-09 (MR) 


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