| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-17 12:00 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立）  SDM2009-112 ICD2009-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-112 ICD2009-28 |
|
| 抄録 | （和） | ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100 A/cm2以下と小さい選択素子ポリSiダイオードを低熱負荷プロセスで作製した。開発したポリSiダイオードにより、相変化メモリチップの面積縮小と低コスト化を実現するクロスポイント型4F2相変化メモリセルのセット/リセット動作を可能にした。 |
| （英） | We have fabricated the cross-point phase change memory with a selection diode made of poly-Si. The selection diode was fabricated using a low-thermal-budget process that achieved low contact resistivity, high on-current density of 8 MA/cm2 and low off-current density of 100 A/cm2. The improvement in the properties of poly-Si diode makes the set/reset operation of the cross-point 4F2 cell possible, leading to the size reduction of phase change memory chip. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / ポリSiダイオード / クロスポイント / / / / / |
| （英） | phase change memory / poly-Si diode / cross-point / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-112, pp. 79-83, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SDM2009-112 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-112 ICD2009-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-112 ICD2009-28 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cross-Point phase change memory with 4F2 cell size driven by low-contact resistivity poly-si diode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase change memory |
| キーワード(2)（和/英） | ポリSiダイオード / poly-Si diode |
| キーワード(3)（和/英） | クロスポイント / cross-point |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 勝治 / Masaharu Kinoshita / キノシタ マサハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森川 貴博 / Takahiro Morikawa / モリカワ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒土 健三 / Kenzo Kurotsuchi / クロツチ ケンゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半澤 悟 / Satoru Hanzawa / ハンザワ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 明生 / Akio Shima / シマ アキオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki / フジサキ ヨシヒサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久米 均 / Hitoshi Kume / クメ ヒトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 守谷 浩志 / Hiroshi Moriya / モリヤ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高浦 則克 / Norikatsu Takaura / タカウラ ノリカツ |
| 第11著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii / トリイ カズヨシ |
| 第12著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-17 12:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-112, ICD2009-28 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.79-83 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]