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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-23 16:00 自由電子レーザ照射による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御 境 恵二郎・石塚大祐（日大）・金木邦英・矢島博文（東京理科大）・岩田展幸・○山本 寛（日大）  OME2009-34 |
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| 抄録 | （和） | 単層カーボンナノチューブ(SWNT)は直径とカイラリティによって金属、半導体になる。SWNTをナノ電子デバイスに応用するためにはカイラリティの制御が必要である。しかし、現在までにカイラリティ制御の確立された手法は報告されていない。我々は自由電子レーザ(FEL)を照射してSWNTのカイラリティ制御の手法を確立させることを目指している。照射したFELの波長は直径1.1nmの半導体SWNTの光吸収波長域である800nmを選択した。成長したSWNTは532nmと785nmのRaman分光装置により構造解析を行った。FEL未照射時はどちらの励起波長でも直径1.1nmを示すRBMが存在した。FEL照射時は励起波長785 nmのみRBMが存在した。800nmのFEL照射によって半導体SWNTの成長を選択的に促進することができた。 |
| （英） | Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are characterized as metals or semiconductors depending on their diameter and chirality. For applying SWNTs to the nanoscale electronic devices, the chirality must be controlled. We propose a novel technique to control the chirality using free electron laser (FEL) irradiation. The irradiation of FEL with the wavelength of 800 nm can be effective to enhance the synthesis of semiconductive SWNTs selectively with the specific chirality to the SWNTs with the 1.1 nm in diameter. In the SWNTs grown under 800 nm FEL irradiated the peak of radial breathing mode (RBM) was observed only diode laser (@785 nm). Effect of 800 nm FEL irradiation during ACCVD was advanced semiconductive SWNT growth. | |
| キーワード | （和） | SWNT / FEL / ACCVD / Raman / / / / |
| （英） | SWNT / FEL / ACCVD / Raman / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 147, OME2009-34, pp. 31-36, 2009年7月. | |
| 資料番号 | OME2009-34 | |
| 発行日 | 2009-07-16 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2009-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2009-07-23 - 2009-07-23 |
| 開催地（和） | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 |
| 開催地（英） | Karuizawa Kensyujyo, Kato Foundation for Promotion of Science |
| テーマ（和） | 有機薄膜・複合膜とデバイス応用，一般 |
| テーマ（英） | Applications of Organic and Composite Films, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2009-07-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自由電子レーザ照射による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chirality Control of Single-Walled Carbon Nanotubes by Free Electron Laser Irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SWNT / SWNT |
| キーワード(2)（和/英） | FEL / FEL |
| キーワード(3)（和/英） | ACCVD / ACCVD |
| キーワード(4)（和/英） | Raman / Raman |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 境 恵二郎 / Keijiro Sakai / サカイ ケイジロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石塚 大祐 / Daisuke Ishiduka / イシヅカ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金木 邦英 / Kunihide Kaneki / カネキ クニヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 博文 / Hirofumi Yajima / ヤジマ ヒロフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 講演者 | 第6著者 |
| 発表日時 | 2009-07-23 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2009-34 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.147 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-07-16 (OME) |
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