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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-08-20 15:15 ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED ○鈴木勇介・川島史裕・斉藤泰仁・下村和彦（上智大）  EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45 |
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| 抄録 | （和） | キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている．そして量子ドットはレーザやLEDのような様々な半導体光デバイスの性能を向上すると考えられている．量子井戸構造をでは高さ方向の一次元でのみエネルギー準位を制御可能であるが，一方で量子ドットでは三次元的な制御が可能であり，より広い範囲の波長制御が可能である．このことから広帯域な波長を放出する光源は1.55m通信波長帯域を含む波長分割多重(WDM)や2.0m付近の環境ガスセンサ，光干渉断層計などで応用可能である．今回の研究では，MOVPE選択成長法とダブルキャップ法による量子ドットアレイ構造を用いた400nmを超える量子ドットLEDの広帯域なEL発光特性を示す． |
| （英） | Semiconductor self-assembled quantum dots (QDs) that have zero-dimensional carrier confinement structure are predicted to have unique physical properties. And these QDs are expected to increase the performance of various semiconductor optical devices such as laser or LED. By using the semiconductor quantum well structure, only one dimension of the height can be controlled the quantum energy level, on the other hand, in the QDs structure, the three-dimensional control of the energy level is possible, and we can obtain the more wide wavelength control. For this reason, The wide wavelength emission source can be applied, such as very wideband wavelength division multiplex (WDM) system, including the 1.55 μm optical telecommunication wavelength, the environmental gas detecting in the longer wavelength near the 2.0 μm,and the light source for optical coherence tomography. In this study, we show the wideband wavelength electro luminescence (EL) more than 400 nm of quantum dot LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure. | |
| キーワード | （和） | 有機金属気相成長法 / 量子ドット / 選択成長法 / ダブルキャップ法 / / / / |
| （英） | Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) / Quantum Dots (QDs) / selective area growth / double-cap procedure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 175, OPE2009-86, pp. 63-68, 2009年8月. | |
| 資料番号 | OPE2009-86 | |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMD CPM LQE |
| 開催期間 | 2009-08-20 - 2009-08-21 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2009-08-OPE-EMD-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InAs QDs Wideband LED by Selective MOVPE Growth using Double-Cap Procedure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots (QDs) |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長法 / selective area growth |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルキャップ法 / double-cap procedure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 勇介 / Yusuke Suzuki / スズキ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川島 史裕 / Fumihiro Kawashima / カワシマ フミヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 泰仁 / Yasuhito Saito / サイトウ ヤスヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura / シモムラ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-08-20 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | EMD2009-38, CPM2009-62, OPE2009-86, LQE2009-45 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.173(EMD), no.174(CPM), no.175(OPE), no.176(LQE) |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
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