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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-08-20 17:05 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振 ○黄 晋二・藤野寛之・河口仁司（奈良先端大）  EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 |
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| 抄録 | （和） | 半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。GaAs(110)基板上の量子井戸は、数nsに及ぶ長い電子スピン緩和時間が得られるため、円偏光でレーザ発振するスピン半導体レーザの実現に有利な系である。我々は、GaAs(110)基板上のInGaAs/GaAs量子井戸を活性層とする面発光半導体レーザ（VCSEL）を作製し、そのレーザ発振特性を評価した。円偏光パルスによって活性層中にスピン偏極電子を生成し、世界初の(110)スピンVCSELにおける円偏光レーザ発振に成功した。77 Kでは、活性層における長い電子スピン緩和時間（2.8 ns）を反映し、0.94という極めて高い円偏光度のレーザ発振が観測された。 |
| （英） | Electron spin polarization in the active layers of semiconductor lasers can lead to circularly polarized lasing via the optical selection rule. Long spin relaxation time (s) is a major advantage for such spin lasers because the spin polarization can be maintained for a long time. From a viewpoint of s, (110)-oriented quantum wells (QWs) have attracted attention because s is one-order of magnitude longer than that in (100)-oriented QWs. We fabricated and characterized a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) based on (110)-oriented InGaAs/GaAs QWs. Circularly polarized lasing in the (110) VCSEL by optical injection of spin-polarized electrons has been demonstrated at 77 K and room temperature. A high degree of circular polarization, 0.94, was observed at 77 K, reflecting the long electron spin relaxation time (~2.8 ns) in the (110)-oriented QWs. | |
| キーワード | （和） | スピントロニクス / 面発光半導体レーザ / (110)量子井戸 / 円偏光レーザ発振 / / / / |
| （英） | Spintronics / Vertical-cavity surface-emitting laser / (110)-oriented quantum well / Circularly polarized lasing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 176, LQE2009-49, pp. 83-88, 2009年8月. | |
| 資料番号 | LQE2009-49 | |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMD CPM LQE |
| 開催期間 | 2009-08-20 - 2009-08-21 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-08-OPE-EMD-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optically pumped circularly polarized lasing in a vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (110) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光半導体レーザ / Vertical-cavity surface-emitting laser |
| キーワード(3)（和/英） | (110)量子井戸 / (110)-oriented quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | 円偏光レーザ発振 / Circularly polarized lasing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黄 晋二 / Shinji Koh / コウ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤野 寛之 / Hiroshi Fujino / フジノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 仁司 / Hitoshi Kawaguchi / カワグチ ヒトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. of Sci and Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-08-20 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | EMD2009-42, CPM2009-66, OPE2009-90, LQE2009-49 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.173(EMD), no.174(CPM), no.175(OPE), no.176(LQE) |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
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