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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-09-03 14:15 (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関 ○石黒雅人・伊藤裕哉・高原知樹・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大）  OME2009-39 |
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| 抄録 | （和） | 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330 Kで金属-絶縁体転移を起こすことが知られている。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした電界効果トランジスタを作製したところ、バルクには見られない特性として、285 Kでの電界効果移動度の急激な増加を観測した。また、285 K以下の温度領域において強誘電体的な分極が発現することを見出した。 |
| （英） | Organic Mott insulator (BEDT-TTF)(TCNQ) is a charge transfer complex composed of BEDT-TTF (donor molecule) and TCNQ (acceptor molecule), which shows metal-insulator transition at 330 K. The temperature dependence of the field effect transistor (FET) characteristics were investigated for (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET. The field effect electron and hole mobility abruptly increased at 285 K, which had not been observed in the bulk crystal. In addition, the ferroelectric-like polarization was observed below 285 K. | |
| キーワード | （和） | 電界効果トランジスタ / 電荷移動錯体 / モット絶縁体 / 電界誘起相転移 / 強誘電体 / / / |
| （英） | Field effect transistor / Charge transfer complex / Mott insulator / / Ferroelectricity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 184, OME2009-39, pp. 19-22, 2009年9月. | |
| 資料番号 | OME2009-39 | |
| 発行日 | 2009-08-27 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2009-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2009-09-03 - 2009-09-03 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 有機材料,一般 |
| テーマ（英） | Organic Materials and Others related to OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2009-09-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between carrier conduction and dielectric properties of (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET around phase transitions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷移動錯体 / Charge transfer complex |
| キーワード(3)（和/英） | モット絶縁体 / Mott insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 電界誘起相転移 / |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectricity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石黒 雅人 / Masato Ishiguro / イシグロ マサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 裕哉 / Yuya Ito / イトウ ユウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高原 知樹 / Tomoki Takahara / タカハラ トモキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-09-03 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2009-39 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.184 |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-08-27 (OME) |
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