| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-09-30 10:55
マイクロLFB超音波材料解析システムのZnO単結晶評価への応用 ○吉田 翔・大橋雄二・荒川元孝・櫛引淳一・坂上 登(東北大) US2009-51 |
| 抄録 |
(和) |
直線集束ビーム超音波材料解析(LFB-UMC)システムの空間分解能を向上させたマイクロLFBデバイスを用いてZnO単結晶の評価を試みた。水熱合成法で作製された2個のZnO単結晶試料を準備し、ひとつは{001}面(±c面)、{100}面(m面)、{101}面(p面)に対して、もうひとつは種結晶を含む断面(±c面)に対してLSAW速度分布を測定した。前者の試料の+c面とm面は高抵抗で、-c面とp面は低抵抗であった。後者の試料は、種結晶と考えられる高抵抗な領域の周りに低抵抗領域があり、さらにその周りには再び高抵抗な領域があった。これはZnO単結晶の育成条件の変化を捉えたものと考えられ、この情報は結晶成長プロセスの理解に貢献できる。また、YX-ZnOを標準試料(圧電が関与しない)とすることで安定したシステム校正が簡易的に行えることを示した。 |
| (英) |
We evaluated ZnO single crystals using a micro-line-focus-beam ultrasonic material characterization (LFB-UMC) system with an improved spatial resolution. We prepared two small ZnO single crystals grown by the hydrothermal synthesis method. Leaky surface acoustic waves (LSAWs) velocity distributions were measured at 225 MHz for {001} (c-plane), {100} (m-plane), and {101} (p-plane) of one specimen and cross-sectional surfaces (±c-plane) of the other specimen. For the former specimen, we found the facts that +c- and m-planes are very resistive and p- and -c-planes are very conductive. For the latter specimen, we observed very conductive regions surrounding a very resistive seed crystal and very resistive surface at +c- and m-planes surrounding the conductive regions. The information should reflect changes in growth conditions of ZnO single crystals and will be used for further understanding the crystal growth processes. We also demonstrated that system calibration can easily and stably be made using a standard specimen of YX- ZnO (independent with piezoelectricity). |
| キーワード |
(和) |
ZnO単結晶 / 直線集束ビーム超音波材料解析システム / マイクロ直線集束ビーム超音波材料解析システム / 漏洩弾性表面波速度 / / / / |
| (英) |
ZnO single crystal / line-focus-beam ultrasonic material characterization system / micro-line-focus-beam ultrasonic material characterization system / velocity of leaky surface acoustic waves / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 213, US2009-51, pp. 77-82, 2009年9月. |
| 資料番号 |
US2009-51 |
| 発行日 |
2009-09-22 (US) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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US2009-51 |