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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-02 15:10 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成 ○増田 徹・白水信弘・中村宝弘・鷲尾勝由（日立）  ICD2009-56 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では24GHz帯やより高周波で動作する低雑音増幅回路（LNA）を対象に，高いイメージ抑圧効果を備える増幅回路の構成の原理検討とSiGe HBTを用いた設計・試作評価結果について述べる。提案回路は、受動素子で構成したノッチ回路を帰還回路に採用して入力整合をイメージ周波数と信号周波数で大幅に変化させ、さらにイメージ周波数にて増幅トランジスタを等価的に入出力短絡させて利得を急峻に減衰させる技術を導入することで、高いイメージ抑圧を可能にする。提案回路の原理検証のため，0.18m SiGe BiCMOSプロセスを用いてTEG回路の設計と試作評価を行った結果，27.2GHzにて利得14dB，21.6GHzにて50.3dBのイメージ抑圧比を確認した。電源電圧1.2V，消費電力は7.9mWの場合に，歪特性(IIP3)は-14dBmであった。 |
| （英） | An image-rejection low-noise amplifier (LNA) based on 0.18-um SiGe BiCMOS technology was developed in order to create a 24GHz-band RF receiver front-end. Its high image-rejection ratio (IRR) in the quasi-millimeter-wave frequency region is due to the use of a notch feedback circuit. The LNA has a 14-dB gain at an operating frequency of 27.2 GHz and an IRR greater than 50 dB IRR at an image frequency of 21.6 GHz. While its IIP3 is −14 dBm, its power consumption with a 1.2-V power supply is also low, 7.9 mW. | |
| キーワード | （和） | 低雑音増幅回路 / イメージ抑圧 / SiGe HBT / ノッチ回路 / / / / |
| （英） | Low noise amplifier / Image rejection / SiGe HBT / Notch circuit / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 214, ICD2009-56, pp. 129-134, 2009年10月. | |
| 資料番号 | ICD2009-56 | |
| 発行日 | 2009-09-24 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2009-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2009-10-01 - 2009-10-02 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） |
| 開催地（英） | CIC Tokyo (Tamachi) |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed analog and digital, RF, and sensor interface circuitry |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2009-10-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High Image-Rejection 24-GHzBand Low Noise Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低雑音増幅回路 / Low noise amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | イメージ抑圧 / Image rejection |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(4)（和/英） | ノッチ回路 / Notch circuit |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 徹 / Toru Masuda / マスダ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白水 信弘 / Nobuhiro Shiramizu / シラミズ ノブヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 宝弘 / Takahiro Nakamura / ナカムラ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鷲尾 勝由 / Katsuyoshi Washio / ワシオ カツヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-02 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2009-56 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.214 |
| ページ範囲 | pp.129-134 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-09-24 (ICD) |
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