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講演抄録/キーワード
講演名 2009-10-09 11:35
応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製
神保和弥齋藤直哉中川茂樹東工大MR2009-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-27
抄録 (和) 垂直 MRAM の書き込み時の消費電力を低減させる手法である応力アシスト磁化反転(Stress AssistedMagnetization Reversal: SAMR)に使用する超磁歪材料Terfenol-D を用いたCu(15nm)/Terfenol-D(10nm)/Cu(3nm)/TbFeCo (30nm)/Cu(15nm)のGMR 多層膜を作製した。この多層膜の上下の酸化防止層Cu(15nm)によって、100℃、2分間の加熱を経ても垂直磁化を失わないことが確認できた。また、このGMR 多層膜にSAMR を適用した際の垂直磁化の変化を観測した。その結果、279MPa の応力印加によりフリー層の磁化のみを面内方向に倒れた事を異常Hall効果による磁化過程観測により確認した。 
(英) A Stress Assisted Magnetization Reversal (SAMR) method has been demonstrated in order to reduce a powerconsumption during magnetization reversal process in a perpendicular magenetoresistive random access memory. In this study,a giant magnetoresistive multilayer of Cu(15nm)/Terfenol-D(10 nm)/Cu(3 nm)/TbFeCo(30 nm)/Cu(15 nm) were prepared. By using both of an upper and a bottom antioxide layers of the Cu, the multilayer kept its perpendicular magnetization after baked at 100 ℃ for 2 minutes. Perpendicular component of magnetization reversal in the GMR multilayer were observed during SAMR process by anomalous Hall effect. As a result, the magnetization of a free layer is shifted from perpendicular to in-plane under a stress application of 279MPa.
キーワード (和) 垂直 MRAM / 応力アシスト磁化反転 / SAMR / 逆磁歪効果 / Terfenol-D / GMR 効果 / /  
(英) p-MRAM / Stress assisted magnetization reversal / SAMR / inverse magnetostriction effect / Terfenol-D / GMR / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, 2009年10月.
資料番号  
発行日 2009-10-01 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2009-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-27

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS  
開催期間 2009-10-08 - 2009-10-09 
開催地(和) 福岡交通センター 
開催地(英) FUKUOKA traffic center 
テーマ(和) 固体メモリおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2009-10-MMS-MR 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Stress assisted magnetization reversal of a spin valve structural perpendiculr GMR muti-layer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 垂直 MRAM / p-MRAM  
キーワード(2)(和/英) 応力アシスト磁化反転 / Stress assisted magnetization reversal  
キーワード(3)(和/英) SAMR / SAMR  
キーワード(4)(和/英) 逆磁歪効果 / inverse magnetostriction effect  
キーワード(5)(和/英) Terfenol-D / Terfenol-D  
キーワード(6)(和/英) GMR 効果 / GMR  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 神保 和弥 / Kazuya Jimbo / ジンボ カズヤ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 直哉 / Naoya Saito / サイトウ ナオヤ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-10-09 11:35:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2009-27 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.222 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数
発行日 2009-10-01 (MR) 


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