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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-09 11:35 応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製 ○神保和弥・齋藤直哉・中川茂樹（東工大）  MR2009-27 |
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| 抄録 | （和） | 垂直 MRAM の書き込み時の消費電力を低減させる手法である応力アシスト磁化反転（Stress AssistedMagnetization Reversal: SAMR）に使用する超磁歪材料Terfenol-D を用いたCu(15nm)/Terfenol-D(10nm)/Cu(3nm)/TbFeCo (30nm)/Cu(15nm)のGMR 多層膜を作製した。この多層膜の上下の酸化防止層Cu(15nm)によって、100℃、2分間の加熱を経ても垂直磁化を失わないことが確認できた。また、このGMR 多層膜にSAMR を適用した際の垂直磁化の変化を観測した。その結果、279MPa の応力印加によりフリー層の磁化のみを面内方向に倒れた事を異常Hall効果による磁化過程観測により確認した。 |
| （英） | A Stress Assisted Magnetization Reversal (SAMR) method has been demonstrated in order to reduce a powerconsumption during magnetization reversal process in a perpendicular magenetoresistive random access memory. In this study,a giant magnetoresistive multilayer of Cu(15nm)/Terfenol-D(10 nm)/Cu(3 nm)/TbFeCo(30 nm)/Cu(15 nm) were prepared. By using both of an upper and a bottom antioxide layers of the Cu, the multilayer kept its perpendicular magnetization after baked at 100 ℃ for 2 minutes. Perpendicular component of magnetization reversal in the GMR multilayer were observed during SAMR process by anomalous Hall effect. As a result, the magnetization of a free layer is shifted from perpendicular to in-plane under a stress application of 279MPa. | |
| キーワード | （和） | 垂直 MRAM / 応力アシスト磁化反転 / SAMR / 逆磁歪効果 / Terfenol-D / GMR 効果 / / |
| （英） | p-MRAM / Stress assisted magnetization reversal / SAMR / inverse magnetostriction effect / Terfenol-D / GMR / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2009年10月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-10-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2009-10-08 - 2009-10-09 |
| 開催地（和） | 福岡交通センター |
| 開催地（英） | FUKUOKA traffic center |
| テーマ（和） | 固体メモリおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2009-10-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress assisted magnetization reversal of a spin valve structural perpendiculr GMR muti-layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直 MRAM / p-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 応力アシスト磁化反転 / Stress assisted magnetization reversal |
| キーワード(3)（和/英） | SAMR / SAMR |
| キーワード(4)（和/英） | 逆磁歪効果 / inverse magnetostriction effect |
| キーワード(5)（和/英） | Terfenol-D / Terfenol-D |
| キーワード(6)（和/英） | GMR 効果 / GMR |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神保 和弥 / Kazuya Jimbo / ジンボ カズヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 直哉 / Naoya Saito / サイトウ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-09 11:35:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-27 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.222 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-10-01 (MR) |
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