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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-09 10:25 ［招待講演］低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術 ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立）  MR2009-26 |
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| 抄録 | （和） | 次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100 A/cm2以下と小さいポリシリコンダイオードを開発し、クロスポイント型相変化メモリのセル面積を4F2 (F: デザインルール)に縮小する見通しを得た。本技術により、相変化メモリチップの低コスト化が可能となる。 |
| （英） | We have fabricated the cross-point phase change memory with a selection diode made of poly-Si. The selection diode was fabricated using a low-thermal-budget process that achieved low contact resistivity, high on-current density of 8 MA/cm2 and low off-current density of 100 A/cm2. The improvement in the properties of poly-Si diode makes the set/reset operation of the cross-point 4F2 cell possible, leading to the size reduction of phase change memory chip. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / ポリシリコンダイオード / クロスポイント / / / / / |
| （英） | phase change memory / poly-Si diode / cross-point / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2009年10月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-10-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2009-10-08 - 2009-10-09 |
| 開催地（和） | 福岡交通センター |
| 開催地（英） | FUKUOKA traffic center |
| テーマ（和） | 固体メモリおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2009-10-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low cost technology of phase change memory with low-contact-resistivity poly-Si selection diode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase change memory |
| キーワード(2)（和/英） | ポリシリコンダイオード / poly-Si diode |
| キーワード(3)（和/英） | クロスポイント / cross-point |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 勝治 / Masaharu Kinoshita / キノシタ マサハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森川 貴博 / Takahiro Morikawa / モリカワ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒土 健三 / Kenzo Kurotsuchi / クロツチ ケンゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半澤 悟 / Satoru Hanzawa / ハンザワ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 明生 / Akio Shima / シマ アキオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki / フジサキ ヨシヒサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 守谷 浩志 / Hiroshi Moriya / モリヤ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高浦 則克 / Norikatsu Takaura / タカウラ ノリカツ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 機械研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii / トリイ カズヨシ |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-09 10:25:00 |
| 発表時間 | 55分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-26 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.222 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-10-01 (MR) |
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