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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-22 15:00 S帯内部整合型E級GaN HEMT増幅器 ○高橋幸夫・樋口 隆・増田和俊（東芝）  EMCJ2009-50 MW2009-99 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTを用いてS帯内部整合型E級増幅器の設計・試作をした．スイッチ動作による高効率動作として時間領域で説明されるE級動作増幅器を周波数領域により設計を行い，入出力整合回路のすべてをパッケージに入れた．ドレーン電圧22Vでパルス動作による測定を行った結果，2.6GHzでドレーン効率72.3%，出力電力100W，2.55GHzから2.85GHzでドレーン効率70%以上を実現した．またドレーン電圧18Vでは，2.7GHzでドレーン効率の最大値は78.1%で出力電力60W，2.5GHzから2.9GHzでドレーン効率70%以上を実現した． |
| （英） | A Class-E amplifier is designed at S-band with our inhouse developed GaN HEMTs. The Class-E amplifier generally described by the time-domain concept can achieve high efficiency performance through switching operation. We have designed the amplifier using a frequency-domain concept instead and integrated all the input/output matching circuitry into one single package. It can achieve an output power of 100W and a drain efficiency of 72.3% at 2.6GHz and the drain efficiency is more than 70% between 2.55GHz and 2.85GHz under pulse operation with an applied drain voltage of 22V. With an applied 18V drain voltage, it can realize a maximum drain efficiency of 78.1% and an output power of 60W at 2.7GHz and the drain efficiency is more than 70% between 2.5GHz and 2.9GHz. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 増幅器 / E級 / S帯 / 内部整合 / 高効率 / 高出力 / |
| （英） | Microwave / Amplifiers / Class-E / S-band / Internally matched / high efficiency / high power / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 242, MW2009-99, pp. 37-40, 2009年10月. | |
| 資料番号 | MW2009-99 | |
| 発行日 | 2009-10-15 (EMCJ, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2009-50 MW2009-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ MW IEE-MAG |
| 開催期間 | 2009-10-22 - 2009-10-23 |
| 開催地（和） | 岩手大学・八幡平ロイヤルホテル |
| 開催地（英） | Iwate Univ. |
| テーマ（和） | 環境電磁工学／マイクロ波、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2009-10-EMCJ-MW-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | S帯内部整合型E級GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | S-band, Internally Matched Class-E GaN HEMT Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / Amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | E級 / Class-E |
| キーワード(4)（和/英） | S帯 / S-band |
| キーワード(5)（和/英） | 内部整合 / Internally matched |
| キーワード(6)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(7)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 幸夫 / Yukio Takahashi / タカハシ ユキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 隆 / Takashi Higuchi / ヒグチ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-22 15:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | EMCJ2009-50, MW2009-99 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.241(EMCJ), no.242(MW) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-10-15 (EMCJ, MW) |
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