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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-29 14:00 n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ ○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2009-117 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリサイド/シリコンコンタクトを実現した。シリサイド形成のための金属材料としては電子、ホールに対するバリアハイトの低い仕事関数を有するEr、Pdをn+、p+-Siに対して選定した。シリサイド形成は大気にさらさず、メタル成膜前洗浄からアニール工程までN2雰囲気で行った。さらに、低仕事関数金属であるErの酸化防止のため、キャップ金属にWを用いた。これらのシリサイドをMOSFETに適用し、直列抵抗低減により電流駆動能力向上を実現した。さらに、実現したシリサイドは、100nm以下の微細CMOSにおいても直列抵抗低減に有効であることを見出した。 |
| （英） | Formation process of silicide/silicon contact with low contact resistance in the source/drain regions has been developed in order to reduce the source/drain electrodes series resistance of MOSFETs. Er that has a low Schottky barrier height (SBH) for electrons and Pd that has a low SBH for holes were selected to n+-, p+-Si respectively. Silicide formation process were done in N2 ambient during from the silicon surface cleaning before metal depositions to silicidation anneal in order not to expose metal and silicon-region to be oxidized. W capping layer is applied to Er surface for preventing Er from being oxidized, because Er is very low work function and is very easily oxidized. These silicides formation process were applied to MOSFETs and high current drivability can be achieved by reduction of series resistance. When these silicides are applied to MOSFETs, it is found to be effective for the reduction of the series resistance of CMOS in sub-100nm generation. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / シリサイド / ショットキーバリア / 仕事関数 / / / / |
| （英） | MOSFET / silicide / Schottky barrier / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-117, pp. 1-6, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-117 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High current drivability transistors with optimized silicides for n+- and p+-Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | シリサイド / silicide |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーバリア / Schottky barrier |
| キーワード(4)（和/英） | 仕事関数 / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中尾 幸久 / Yukihisa Nakao / ナカオ ユキヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 宏明 / Hiroaki Tanaka / タナカ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-29 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-117 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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