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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-30 15:45 ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター）  SDM2009-134 |
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| 抄録 | （和） | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を明らかにすることを目的として、高分解能軟X線角度分解光電子分光法を用いてSi 2p、O 1sからの光電子スペクトルを光電子の運動エネルギーを揃えて測定を行った。Si(100)、Si(111)、Si(110)、Si(551)基板上に形成した酸化膜のSi 2p3/2スペクトルにおいて、界面の組成遷移層を構成するサブオキサイドのスペクトルに明瞭な違いが観測された。また、界面は基板面方位に依らずおよそ1層程度の急峻な組成遷移であることを明らかにした。 |
| （英） | For clarifying the atomic structure of transition layer and valence band offset at Si/SiO2 interface formed by radical oxidation, the photoelectron spectra of Si 2p and O 1s were evaluated by high resolution angle-resolved soft X-ray photoelectron spectroscopy. The differences of Si 2p3/2 spectrum from sub-oxides which construct the transition layer at Si/SiO2 interface are observed for different Si surface orientation such as Si(100), Si(111), Si(110), and Si(551). | |
| キーワード | （和） | SiO2 / 界面 / 光電子分光 / ラジカル酸化 / / / / |
| （英） | SiO2 / interface / XPS / radical oxidation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-134, pp. 77-80, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-134 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-134 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on compositional transition layers at SiO2/Si interface formed by radical oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(3)（和/英） | 光電子分光 / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | ラジカル酸化 / radical oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 豊彦 / Toyohiko Kinoshita / キノシタ トヨヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 室隆 桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 有香子 / Yukako Kato / カトウ ユカコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-30 15:45:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-134 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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