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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-30 13:00 SiO2膜におけるRIEダメージの修復 ○川田宣仁・永嶋賢史・市川 徹・赤堀浩史（東芝）  SDM2009-129 |
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| 抄録 | （和） | MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE（Reactive Ion Etching）ダメージの影響がより顕著になってきている。特にメモリデバイスにおいてはゲート絶縁膜がプラズマに晒されることにより、電気的信頼性は影響を受ける。我々はRIEによるSiO2膜の劣化要因を探ると共に、ダメージの回復手法を見出した。SIMS,XPS,XRR分析の結果、RIE直後において表層にハロゲン化合物が付着しており、これを除去した後に酸化することでダメージの回復が可能であることが判明した。また、その酸化手法についても水蒸気ラジカル酸化が回復に有効であることを明らかにした。 |
| （英） | As the MOS device shrinkage progress, the influence of RIE(Reactive Ion Etching) damage becomes remarkable. Especially, the exposure of the gate dielectric to plasma causes the deep effect to the reliability in the memory device. We investigated for the damage factor of the SiO2 film by the RIE, and found the techniques that recover the damage. As the result of SIMS, XPS and XRR analysis, the halides adhered to the gate dielectric after the dry etching. It was clarified that damage recovers when oxidizing after the halide was removed. Moreover, it was clarified that the steam radical oxidation was effective for the recovery. | |
| キーワード | （和） | RIE / 酸化膜 / ダメージ / 回復 / ラジカル酸化 / プラズマ酸化 / SIMS / TDDB |
| （英） | RIE / SiO2 / damage / Recovery / Radical Oxidation / Plasma Oxidation / XPS / XRR | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-129, pp. 51-56, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-129 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2膜におけるRIEダメージの修復 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recovery from Reactive Ion Etching Damage in SiO2 Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RIE / RIE |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化膜 / SiO2 |
| キーワード(3)（和/英） | ダメージ / damage |
| キーワード(4)（和/英） | 回復 / Recovery |
| キーワード(5)（和/英） | ラジカル酸化 / Radical Oxidation |
| キーワード(6)（和/英） | プラズマ酸化 / Plasma Oxidation |
| キーワード(7)（和/英） | SIMS / XPS |
| キーワード(8)（和/英） | TDDB / XRR |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川田 宣仁 / Nobuhito Kawada / カワダ ノブヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永嶋 賢史 / Satoshi Nagashima / ナガシマ サトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 徹 / Toru Ichikawa / イチカワ トオル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 浩史 / Hiroshi Akahori / アカホリ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-30 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-129 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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