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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-30 14:00 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 ○永島幸延・赤堀浩史（東芝）  SDM2009-131 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-131 |
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| 抄録 | （和） | 現在、MOSトランジスタにおいて、微細化が進むにつれて低抵抗電極材として、メタルゲートの利用が注目されている。メタルゲートを用いる際に、素子間絶縁膜成膜時の異常酸化が懸念されるため、酸化を抑える低温でのSiO2成膜技術が必要である。ただし、低温成膜できれば良いというわけではなく、素子間ショートを防ぐ絶縁破壊耐性や、素子間を隙間無く埋めるカバレッジ性も必要とされる。今回の報告では、MOSキャパシタを用いたTZDB測定とTDDB測定による低温SiO2膜の電気特性結果と、膜密度と組成の物理解析結果の相関関係から、良質な低温SiO2膜の開発方向性を提案する。また、低温SiO2膜によりメタル膜の酸化を抑えた結果と、良好なカバレッジ性を示す。 |
| （英） | The metal gate electrode is paid to attention as a low resistivity material in the MOS transistor as scaling progresses. When the metal material is adapted to transistor gate electrode, the SiO2 deposition technology at low temperature for filling material between cells is necessary to suppress the metal gate anomalous oxidation. However, not only suppressing of anomalous oxidation, but also the resistance of electrical breakdown and good step coverage characteristic between cells are needed. In this report, the developmental direction in a good quality low temperature SiO2 film is proposed by the result of TZDB and TDDB electrical characteristics using the MOS capacitor and by the physical analysis to SiO2 film. Moreover, good step coverage and suppressing of anomalous oxidation are shown. | |
| キーワード | （和） | 低温SiO2膜 / メタルゲート / TZDB / TDDB / / / / |
| （英） | Low temperature SiO2 film / Metal gate / TZDB / TDDB / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-131, pp. 63-67, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-131 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-131 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-131 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温形成SiO2膜の電気的特性向上に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on improvement of electrical characteristics for low temperature SiO2 film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温SiO2膜 / Low temperature SiO2 film |
| キーワード(2)（和/英） | メタルゲート / Metal gate |
| キーワード(3)（和/英） | TZDB / TZDB |
| キーワード(4)（和/英） | TDDB / TDDB |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永島 幸延 / Hidenobu Nagashima / ナガシマ ヒデノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA CORPORATION (略称： TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 浩史 / Hiroshi Akahori / アカホリ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA CORPORATION (略称： TOSHIBA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-30 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-131 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.63-67 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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