講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-12 14:40
表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル ○辻 博史(阪大/JST)・鎌倉良成・谷口研二(阪大) SDM2009-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-138 |
抄録 |
(和) |
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する.poly-Si TFTの緩やかなサブスレッショルド特性を再現するために,ゲート酸化膜/多結晶シリコン界面の界面準位の影響を考慮し,表面ポテンシャルを用いてモデリングを行った.また,実測値との比較から,提案モデルが弱反転領域から強反転領域(線形,飽和領域)までのドレイン電流特性を精度よく計算できることを示した. |
(英) |
A new surface-potential-based drain current model for polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) is proposed. In the model, the influence of traps located at the gate-oxide/poly-Si interface is taken into account to reproduce the gradual increase of the drain current in the subthreshold region. Calculations using the model produce results that are in good agreement with measured current-voltage characteristics of poly-Si TFTs in all the regions of operation, including the subthreshold, linear, and saturation regions. |
キーワード |
(和) |
多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / 界面準位 / シミュレーション / / / / |
(英) |
polycrystalline silicon / thin-film transistor / interface state / simulation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-138, pp. 19-22, 2009年11月. |
資料番号 |
SDM2009-138 |
発行日 |
2009-11-05 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2009-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-138 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2009-11-12 - 2009-11-13 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2009-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Surface-Potential-Based Drain Current Model for Thin-Film Transistors |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
多結晶シリコン / polycrystalline silicon |
キーワード(2)(和/英) |
薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
キーワード(3)(和/英) |
界面準位 / interface state |
キーワード(4)(和/英) |
シミュレーション / simulation |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
辻 博史 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学/JST-CREST (略称: 阪大/JST)
Osaka University/JST-CREST (略称: Osaka Univ/JST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
第2著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-11-12 14:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2009-138 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.278 |
ページ範囲 |
pp.19-22 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2009-11-05 (SDM) |