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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-12 15:05 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大）  SDM2009-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-139 |
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| 抄録 | （和） | 高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に利用できる，回路シミュレーション用IGBTモデル「HiSIM-IGBT」を開発した．ゲート，コレクタ，エミッタを外部端子，ベース（ドレイン）を内部節点とし，表面ポテンシャルに基づく高精度なMOSFETモデルHiSIMをMOSFET部に用い，ベース抵抗を新たにモデル化した．HiSIM-IGBTは，物理に基づき，IGBTの基本特性及びスイッチング特性を高精度に再現することができ，IGBTを用いた回路設計をより速く正確に行うことを可能とする． |
| （英） | HiSIM-IGBT, a compact IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) model for circuit simulation has been developed. The model can be applied to circuit designs with IGBTs for power conversion in the voltage range between several hundreds and thousands. It holds gate, collector and emitter terminals and an internal base (drain) node. To the FET part, surface-potential-based accurate MOSFET model ``HiSIM'' is applied, while a base resistance model is newly developed. HiSIM-IGBT can accurately reproduce fundamental characteristics and switching behaviors of IGBTs, which enables faster and more accurate circuit designs with IGBTs. | |
| キーワード | （和） | IGBT / HiSIM / 高耐圧デバイス / コンパクトモデル / ベース抵抗 / 表面ポテンシャル / / |
| （英） | IGBT / HiSIM / power device / compact model / base resistance / surface potential / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-139, pp. 23-27, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-139 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-139 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HiSIM-IGBT: A Compact IGBT Model for Circuit Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(2)（和/英） | HiSIM / HiSIM |
| キーワード(3)（和/英） | 高耐圧デバイス / power device |
| キーワード(4)（和/英） | コンパクトモデル / compact model |
| キーワード(5)（和/英） | ベース抵抗 / base resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 表面ポテンシャル / surface potential |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 正尭 / Masataka Miyake / ミヤケ マサタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舛岡 弘基 / Hiroki Masuoka / マスオカ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ウヴェ フェルドマン / Uwe Feldmann / ウヴェ フェルドマン |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 道子 / Mitiko Miura-Mattausch / ミウラ ミチコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-12 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-139 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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