講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-13 15:50
構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 ○川端研二・市川尚志・渡辺浩志(東芝) SDM2009-150 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-150 |
抄録 |
(和) |
昨今の微細化の進展により、デバイスサイズはナノオーダーに突入しつつあり、これまで見過ごされてきた微細化極限物性的な問題が重要となる。SiO2に囲まれたSiクラスタの特性は、バルクの性質から大きく外れ、平面的なSi/SiO2界面のそれとも違うであろう。このような非バルク特性を考慮するには、デバイスを模した数nm規模の構造を、原子レベルで解析する必要がある。今回、分子動力学とタイトバインディング法を用いることにより、SiO2に包まれたSiクラスタの電子状態密度がバルクSiとは異なるという結果を得た。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
タイトバインディング法 / 分子動力学 / シリコンドット / フローティングゲート / 界面状態 / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-150, pp. 85-90, 2009年11月. |
資料番号 |
SDM2009-150 |
発行日 |
2009-11-05 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2009-150 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-150 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2009-11-12 - 2009-11-13 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2009-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Trial application of tight-binding method to Si-cluster surrounded by SiO2 in optimized atomistic network |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
タイトバインディング法 / |
キーワード(2)(和/英) |
分子動力学 / |
キーワード(3)(和/英) |
シリコンドット / |
キーワード(4)(和/英) |
フローティングゲート / |
キーワード(5)(和/英) |
界面状態 / |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
川端 研二 / Kenji Kawabata / カワバタ ケンジ |
第1著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
市川 尚志 / Takashi Ichikawa / イチカワ タカシ |
第2著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 浩志 / Hiroshi Watanabe / ワタナベ ヒロシ |
第3著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-11-13 15:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2009-150 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.278 |
ページ範囲 |
pp.85-90 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2009-11-05 (SDM) |