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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 10:35
光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価
田口 大長田憲司郎マーティン ワイス間中孝彰岩本光正東工大OME2009-56 OPE2009-151
抄録 (和) 積層有機EL試料(IZO/NPB/Alq/Al)にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法を用いてデバイス内部の電界分布の過渡変化を評価した。マックスウェル・ワグナー効果モデルに基づき電界分布からNPB/Alq3界面での蓄積電荷量を解析すると、EL発光時にはホールの蓄積が起こることがわかった。ホール蓄積に要する時間は外部電圧に大きく依存し、NPB層のホール走行時間よりも非常に長いことがわかった。 
(英) Electric-field-induced optical second-harmonic generation (EFISHG) technique was employed to investigate the transient electric-field distribution in organic electroluminescent diode, i.e., IZO/NPB/Alq/Al structure device. Electric field relaxation was found to occur where the device was biased to exhibit enhanced electroluminescence. On account of Maxwell-Wagner effect, charge accumulation process at the NPB/Alq3 interface was analyzed. It was shown that holes accumulated at the NPB/Alq interface. The charge accumulation time was longer than the expected hole transit time across NPB layer.
キーワード (和) 光第2次高調波発生法 / マックスウェル・ワグナー効果 / 有機EL / / / / /  
(英) electric-field-induced optical second-harmonic generation / Maxwell-Wagner effect / organic electroluminescent diode / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 283, OME2009-56, pp. 19-23, 2009年11月.
資料番号 OME2009-56 
発行日 2009-11-06 (OME, OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2009-56 OPE2009-151

研究会情報
研究会 OPE OME  
開催期間 2009-11-13 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-11-OPE-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of charge accumulation time in organic electroluminescence device by optical electric-field induced second-harmonic generation measurement. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光第2次高調波発生法 / electric-field-induced optical second-harmonic generation  
キーワード(2)(和/英) マックスウェル・ワグナー効果 / Maxwell-Wagner effect  
キーワード(3)(和/英) 有機EL / organic electroluminescent diode  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田口 大 / Dai Taguchi / タグチ ダイ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 憲司郎 / Kenshirou Osada / オサダ ケンシロウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) マーティン ワイス / Martin Weis / マーティン ワイス
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-13 10:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2009-56, OPE2009-151 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.283(OME), no.284(OPE) 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数
発行日 2009-11-06 (OME, OPE) 


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