| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-11-13 10:35
光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価 ○田口 大・長田憲司郎・マーティン ワイス・間中孝彰・岩本光正(東工大) OME2009-56 OPE2009-151 |
| 抄録 |
(和) |
積層有機EL試料(IZO/NPB/Alq/Al)にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法を用いてデバイス内部の電界分布の過渡変化を評価した。マックスウェル・ワグナー効果モデルに基づき電界分布からNPB/Alq3界面での蓄積電荷量を解析すると、EL発光時にはホールの蓄積が起こることがわかった。ホール蓄積に要する時間は外部電圧に大きく依存し、NPB層のホール走行時間よりも非常に長いことがわかった。 |
| (英) |
Electric-field-induced optical second-harmonic generation (EFISHG) technique was employed to investigate the transient electric-field distribution in organic electroluminescent diode, i.e., IZO/NPB/Alq/Al structure device. Electric field relaxation was found to occur where the device was biased to exhibit enhanced electroluminescence. On account of Maxwell-Wagner effect, charge accumulation process at the NPB/Alq3 interface was analyzed. It was shown that holes accumulated at the NPB/Alq interface. The charge accumulation time was longer than the expected hole transit time across NPB layer. |
| キーワード |
(和) |
光第2次高調波発生法 / マックスウェル・ワグナー効果 / 有機EL / / / / / |
| (英) |
electric-field-induced optical second-harmonic generation / Maxwell-Wagner effect / organic electroluminescent diode / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 283, OME2009-56, pp. 19-23, 2009年11月. |
| 資料番号 |
OME2009-56 |
| 発行日 |
2009-11-06 (OME, OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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