講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-13 16:00
ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性 ○佐藤 陽・星野勝美・岡村 進・加藤恵三・星屋裕之(日立) MR2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-34 |
抄録 |
(和) |
ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR 比,およびバイアス電圧依存性について検討した.電流狭窄層と組み合わせることにより,ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子のMR 比は向上し,バイアス電圧の増加によるMR 比の低下割合は減少した.これは,ピンホールを流れる電流によってその近傍の磁性層で発生するスピントルクによる磁気的な揺らぎが,周囲の磁性層によって効果的に抑制されたためであると考えられる. |
(英) |
The effect of current screen layer on the bias voltage dependence of a magnetoresistive (MR) ratio was studied for a Heusler alloy-based current perpendicular-to-plane giant-magnetoresistive (CPP-GMR) sensor. The MR ratio was improved by using the current screen layer for the Heusler alloy based CPP-GMR sensor. In addition, the bias voltage dependence of the MR ratio was also improved. This improvement in bias voltage dependence appears to be due to the suppression of the magnetic moments fluctuation near a pinhole which reduces the spin-torque effect. |
キーワード |
(和) |
CPP-GMR / 電流狭窄層 / 磁気再生ヘッド / 磁気再生センサ / スピントルク / / / |
(英) |
CPP-GMR / confined current path / magnetic read head / magnetic read sensor / spin torque / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, 2009年11月. |
資料番号 |
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発行日 |
2009-11-06 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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