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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 16:00
ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性
佐藤 陽星野勝美岡村 進加藤恵三星屋裕之日立MR2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-34
抄録 (和) ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR 比,およびバイアス電圧依存性について検討した.電流狭窄層と組み合わせることにより,ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子のMR 比は向上し,バイアス電圧の増加によるMR 比の低下割合は減少した.これは,ピンホールを流れる電流によってその近傍の磁性層で発生するスピントルクによる磁気的な揺らぎが,周囲の磁性層によって効果的に抑制されたためであると考えられる. 
(英) The effect of current screen layer on the bias voltage dependence of a magnetoresistive (MR) ratio was studied for a Heusler alloy-based current perpendicular-to-plane giant-magnetoresistive (CPP-GMR) sensor. The MR ratio was improved by using the current screen layer for the Heusler alloy based CPP-GMR sensor. In addition, the bias voltage dependence of the MR ratio was also improved. This improvement in bias voltage dependence appears to be due to the suppression of the magnetic moments fluctuation near a pinhole which reduces the spin-torque effect.
キーワード (和) CPP-GMR / 電流狭窄層 / 磁気再生ヘッド / 磁気再生センサ / スピントルク / / /  
(英) CPP-GMR / confined current path / magnetic read head / magnetic read sensor / spin torque / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, 2009年11月.
資料番号  
発行日 2009-11-06 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-34

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS  
開催期間 2009-11-13 - 2009-11-13 
開催地(和) 早稲田大学 
開催地(英) Waseda Univ. 
テーマ(和) ハードディスクドライブおよび一般 
テーマ(英) HDD, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2009-11-MMS-MR 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Crrent Screen Layer on Bias Voltage Dependence of MR Ratio in Heusler Alloy Based CPP-GMR Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CPP-GMR / CPP-GMR  
キーワード(2)(和/英) 電流狭窄層 / confined current path  
キーワード(3)(和/英) 磁気再生ヘッド / magnetic read head  
キーワード(4)(和/英) 磁気再生センサ / magnetic read sensor  
キーワード(5)(和/英) スピントルク / spin torque  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 陽 / Yo Sato / サトウ ヨウ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称: Hitachi Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 星野 勝美 / Katsumi Hoshino / ホシノ カツミ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称: Hitachi Ltd.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡村 進 / Susumu Okamura / オカムラ ススム
第3著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称: Hitachi Ltd.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 恵三 / Keizo Kato / カトウ ケイゾウ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称: Hitachi Ltd.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 星屋 裕之 / Hiroyuki Hoshiya / ホシヤ ヒロユキ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称: Hitachi Ltd.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-13 16:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2009-34 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.282 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数
発行日 2009-11-06 (MR) 


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