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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 10:25 Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 ○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST）  ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
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| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-110, pp. 13-18, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-110 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of well-aligned InN crystals using Mo-mask selective area growth technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神村 淳平 / Jumpei Kamimura / カミムラ ジュンペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称： 上智大/JST) Sophia University/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称： Sophia Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称： 上智大/JST) Sophia University/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称： Sophia Univ./JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称： 上智大/JST) Sophia University/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称： Sophia Univ./JST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-131, CPM2009-105, LQE2009-110 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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