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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-19 17:10
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化
永田賢吾市川友紀竹田健一郎永松謙太郎岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123
抄録 (和) Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて,異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化した試料の正孔濃度は,窒素中や空気中で活性化した試料の正孔濃度よりも高いことがわかった。同様に,紫外LEDについても,酸素雰囲気中の活性化アニールの効果を確認した。100 mAのDC電流で,酸素雰囲気中900 ℃において活性化したLEDは,窒素雰囲気中800 ℃において活性化したLEDと比べ,約4倍光出力が高い。 
(英) Activation annealing of Mg-doped p-type Al0.17Ga0.83N in different gases was conducted. The hole concentration in Al0.17Ga0.83N annealed in oxygen flow is higher than those annealed in nitrogen or air. A hole concentration of 1.3×1016 cm-3 at room temperature was achieved by annealing in oxygen flow at 900 oC. We also confirmed the effect of activation annealing in oxygen flow on the performance of UV LED. At a DC current of 100 mA, the output power of the LED annealed in oxygen flow at 900 oC is 4 times higher than that of the LED annealed in nitrogen flow at 800 oC.
キーワード (和) 活性化アニール / 水素脱離 / 酸素 / 正孔濃度 / 紫外LED / / /  
(英) activation annealing / hydrogen desorption / oxygen / hole concentration / UV LED / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-123, pp. 75-80, 2009年11月.
資料番号 LQE2009-123 
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2009-11-19 - 2009-11-20 
開催地(和) 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
開催地(英) Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High Efficiency ultraviolet emitters by activation annealing in oxygen flow 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 活性化アニール / activation annealing  
キーワード(2)(和/英) 水素脱離 / hydrogen desorption  
キーワード(3)(和/英) 酸素 / oxygen  
キーワード(4)(和/英) 正孔濃度 / hole concentration  
キーワード(5)(和/英) 紫外LED / UV LED  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 賢吾 / Kengo Nagata / ナガタ ケンゴ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 友紀 / Tomoki Ichikawa / イチカワ トモキ
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda / タケダ ケンイチロウ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 永松 謙太郎 / Kentaro Nagamatsu / ナガマツ ケンタロウ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第8著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-19 17:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2009-144, CPM2009-118, LQE2009-123 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.75-80 
ページ数
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 


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