| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-11-19 17:10
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇(名城大) ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 |
| 抄録 |
(和) |
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて,異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化した試料の正孔濃度は,窒素中や空気中で活性化した試料の正孔濃度よりも高いことがわかった。同様に,紫外LEDについても,酸素雰囲気中の活性化アニールの効果を確認した。100 mAのDC電流で,酸素雰囲気中900 ℃において活性化したLEDは,窒素雰囲気中800 ℃において活性化したLEDと比べ,約4倍光出力が高い。 |
| (英) |
Activation annealing of Mg-doped p-type Al0.17Ga0.83N in different gases was conducted. The hole concentration in Al0.17Ga0.83N annealed in oxygen flow is higher than those annealed in nitrogen or air. A hole concentration of 1.3×1016 cm-3 at room temperature was achieved by annealing in oxygen flow at 900 oC. We also confirmed the effect of activation annealing in oxygen flow on the performance of UV LED. At a DC current of 100 mA, the output power of the LED annealed in oxygen flow at 900 oC is 4 times higher than that of the LED annealed in nitrogen flow at 800 oC. |
| キーワード |
(和) |
活性化アニール / 水素脱離 / 酸素 / 正孔濃度 / 紫外LED / / / |
| (英) |
activation annealing / hydrogen desorption / oxygen / hole concentration / UV LED / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-123, pp. 75-80, 2009年11月. |
| 資料番号 |
LQE2009-123 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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