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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 11:15 RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）  ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
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| 抄録 | （和） | InN成長のための新しいRF-MBE（radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy）成長方法としてDERI（droplet elimination by radical-beam irradiation）法を提案する。本手法は、(1)ドロップレット形成プロセス、及び、(2)ドロップレット除去プロセスの２つのプロセスにより構成される。ドロップレット形成プロセスにおいて、InドロップレットはInリッチ条件下でのInN成長、もしくは、In照射により形成される。このドロップレットは、Nラジカル照射によるドロップレット除去プロセスにより除去されInNに変換形成される。この手法は、RHEEDによる回折パターン強度その場観察によりモニタリングできるため、高品質InN膜を簡便に再現性よく成長できる。このDERI法をInGaN成長に応用すると、InGaN中にGaが優先的に取り込まれるため、InはInGaN表面上にはき出され、このInはドロップレット除去プロセスによりInNに形成されることになる。 |
| （英） | New radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) method, named droplet elimination by radical-beam irradiation (DERI), is proposed for the growth of InN. This method is composed of two series of growth processes: (1) droplet formation process and (2) droplet elimination process. In droplets are formed on a surface by either InN growth under an In-rich condition or simple In irradiation in droplet formation process. These droplets are eliminated and transformed to InN epitaxially on the underlayer in droplet elimination process, which is consisting of nitrogen radical beam irradiation. This method supplies simple and reproducible growth of a high-quality InN film, since DERI method can be monitored in situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity variation. This DERI method is also applied to InGaN growth. The results indicate that Ga preferably or selectively captures into InGaN layer and In, which is forced to sweep away to the surface, is transformed to InN on top of InGaN by droplet elimination process. | |
| キーワード | （和） | 分子線エピタキシー / 窒化インジウム / 窒化インジウムガリウム / / / / / |
| （英） | Molecular Beam Epitaxy (MBE) / InN / InGaN / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-112, pp. 25-29, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-112 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of new growth method for high-quality InN and development on growth of InGaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy (MBE) |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化インジウム / InN |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化インジウムガリウム / InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 智広 / Tomohiro Yamaguchi / ヤマグチ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名西 やすし / Yasushi Nanishi / ナニシ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 立命館大学/ソウル国立大学 (略称： 立命館大/ソウル国立大) Ritsumeikan University/Seoul National University (略称： Ritsumeikan Univ./Seoul National Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-133, CPM2009-107, LQE2009-112 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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