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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 13:05 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大）  ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
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| 抄録 | （和） | ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30 Kにて行った．c面InGaN QWでは，～100 nm程度の島状の発光強度の強い領域が多数分布していた．さらにこのような発光強度の強い領域は長波長領域に対応していた．これは，エネルギー準位の不均一により生じた局所的なポテンシャル極小領域にキャリアが局在し発光しているためと考えられる．一方，{11-22}InGaN QWでは，QW面内での発光強度変化がほとんどなく，さらに各測定点での発光スペクトル形状にほとんど変化が見られなかった．発光半値幅も、約160 meVとマクロ発光スペクトルとほぼ同じ値だった．以上のことから，{11-22}InGaN QWの局在中心サイズはc面InGaN QWに比べ小さく，キャリアの面内拡散もほとんどないものと考えられる． |
| （英） | Spatially resolved photoluminescence mapping was performed for c plane and {11-22} InGaN/GaN quantum wells (QWs) by a scanning near field optical microscope, and differences of recombination dynamics between them were investigated at cryogenic temperature. For the c plane QW, despite the cryogenic temperature, the PL intensity map consists of island like structure where the strong PL intensity domains correspond to the lower emission energy bands. Moreover, the PL spectra are composed of several emission peaks, and the shape of spectra is different in each position. These results indicate that the carriers/excitons are diffused to localization centers and recombine radiatively. On the other hand, such PL intensity fluctuations and position dependence of PL spectra have not been observed in the {11-22} QW. These findings strongly suggest that the density of localization centers in the {11-22} QW is much higher than that in the c plane QW. Additionally, the carrier diffusion length of the {11-22} QW is much shorter than that of the c plane QW. | |
| キーワード | （和） | c面InGaN量子井戸 / {11-22}InGaN量子井戸 / 近接場光学顕微鏡 / 局在 / 拡散長 / / / |
| （英） | c plane InGaN QW / {11-22} InGaN QW / scanning near field optical microscope / localization center / diffusion / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-114, pp. 35-38, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-114 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High spatial resolution PL mapping of {11-22} InGaN quantum wells by scanning near-field optical microscope |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | c面InGaN量子井戸 / c plane InGaN QW |
| キーワード(2)（和/英） | {11-22}InGaN量子井戸 / {11-22} InGaN QW |
| キーワード(3)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / scanning near field optical microscope |
| キーワード(4)（和/英） | 局在 / localization center |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散長 / diffusion |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 雅也 / Masaya Ueda / ウエダ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-135, CPM2009-109, LQE2009-114 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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